電感器(Inductor)是能夠把電能轉(zhuǎn)化為磁能而存儲起來的元件。電感器的結(jié)構(gòu)類似于變壓器，但只有一個繞組。電感器具有一定的電感，它只阻礙電流的變化。如果電感器在沒有電流通過的狀態(tài)下，電路接通時它將試圖阻礙電流流過它；如果電感器在有電流通過的狀態(tài)下，電路斷開時它將試圖維持電流不變。電感器又稱扼流器、電抗器、動態(tài)電抗器。
原始的電感器是1831年英國M.法拉第用以發(fā)現(xiàn)電磁感應(yīng)現(xiàn)象的鐵芯線圈。1832年美國的J.亨利發(fā)表關(guān)于自感應(yīng)現(xiàn)象的論文。人們把電感量的單位稱為亨利，簡稱亨。19世紀中期，電感器在電報、電話等裝置中得到實際應(yīng)用。1887年德國的H.R.赫茲，1890年美國N.特斯拉在實驗中所用的電感器都是非常的，分別稱為赫茲線圈和特斯拉線圈。
電感器一般由骨架、繞組、屏蔽罩、封裝材料、磁心或鐵心等組成。

電容器是儲存電量和電能（電勢能）的元件。一個導(dǎo)體被另一個導(dǎo)體所包圍，或者由一個導(dǎo)體發(fā)出的電場線全部終止在另一個導(dǎo)體的導(dǎo)體系，稱為電容器。
兩個相互靠近的導(dǎo)體，中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì)，就構(gòu)成了電容器。當電容器的兩個極板之間加上電壓時，電容器就會儲存電荷。電容器的電容量在數(shù)值上等于一個導(dǎo)電極板上的電荷量與兩個極板之間的電壓之比。電容器的電容量的基本單位是法拉(F)。在電路圖中通常用字母C表示電容元件。
電容器在調(diào)諧、旁路、耦合、濾波等電路中起著重要的作用。晶體管收音機、CD唱機、錄音機的調(diào)諧電路要用到它，彩色電視機的耦合電路、旁路電路等也要用到它。
隨著電子信息技術(shù)的日新月異，數(shù)碼電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代速度越來越快，以平板電視（LCD和PDP）、筆記本電腦、數(shù)碼相機等產(chǎn)品為主的消費類電子產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長，帶動了電容器產(chǎn)業(yè)增長。
電容器的主要參數(shù)有：
(1)標稱電容量，為標志在電容器上的電容量。但電容器實際電容量與標稱電容量是有偏差的，精度等級與允許誤差有對應(yīng)關(guān)系。一般電容器常用I、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、V、Ⅵ級表示容量精度，根據(jù)用途選取。電解電容器的容值，取決于在交流電壓下工作時所呈現(xiàn)的阻抗，隨著工作頻率、溫度、電壓以及測量方法的變化，容值會隨之變化。電容量的單位為F（法）。

電阻是描述導(dǎo)體導(dǎo)電性能的物理量，用R表示。電阻由導(dǎo)體兩端的電壓U與通過導(dǎo)體的電流I的比值來定義，即R=U/I。所以，當導(dǎo)體兩端的電壓一定時，電阻愈大，通過的電流就愈小; 反之，電阻愈小，通過的電流就愈大。因此，電阻的大小可以用來衡量導(dǎo)體對電流阻礙作用的強弱，即導(dǎo)電性能的好壞。電阻的量值與導(dǎo)體的材料、形狀、體積以及周圍環(huán)境等因素有關(guān)。
不同導(dǎo)體的電阻按其性質(zhì)的不同還可分為兩種類型。一類稱為線性電阻或歐姆電阻，滿足歐姆定律; 另一類稱為非線性電阻，不滿足歐姆定律。電阻的倒數(shù)1/R稱為電導(dǎo)，也是描述導(dǎo)體導(dǎo)電性能的物理量，用G表示。電阻的單位在國際單位制中是歐姆(Ω)，簡稱歐。而電導(dǎo)的國際單位制(SI)單位是西門子(S)，簡稱西。
正常金屬有電阻，是因為載流子會受到散射而改變動量。散射的中心就是聲子，缺陷，雜質(zhì)原子等。在超導(dǎo)情況下，組成庫伯對的電子不斷地相互散射，但這種散射不影響庫伯對質(zhì)心動量，所以有電流通過超導(dǎo)體時庫伯對的定向移動不受阻礙，沒有電阻。
電阻雖然定義為：1伏電壓產(chǎn)生一安電流則為1歐電阻；但電壓、電流并不是決定電阻的因素。
電阻元件的電阻值大小一般與溫度有關(guān)，還與導(dǎo)體長度、橫截面積、材料有關(guān)。多數(shù)（金屬）的電阻隨溫度的升高而升高，一些半導(dǎo)體卻相反。如：玻璃，碳在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是電阻率，l為材料的長度，單位為m，s為面積，單位為平方米?？梢钥闯觯牧系碾娮璐笮≌扔诓牧系拈L度，而反比于其面積。
各種金屬導(dǎo)體中，銀的導(dǎo)電性能是的，但還是有電阻存在。20世紀初，科學(xué)家發(fā)現(xiàn)，某些物質(zhì)在很低的溫度時，如鋁在1.39K（-271.76℃）以下，鉛在7.20K（-265.95℃）以下，電阻就變成了零。這就是超導(dǎo)現(xiàn)象，用具有這種性能的材料可以做成超導(dǎo)材料。已經(jīng)開發(fā)出一些“高溫”超導(dǎo)材料，它們在100K（-173℃）左右電阻就能降為零。
如果把超導(dǎo)現(xiàn)象應(yīng)用于實際，會給人類帶來很大的好處。在電廠發(fā)電、運輸電力、儲存電力等方面若能采用超導(dǎo)材料，就可以大大降低由于電阻引起的電能消耗。如果用超導(dǎo)材料制造電子元件，由于沒有電阻，不必考慮散熱的問題，元件尺寸可以大大的縮小，進一步實現(xiàn)電子設(shè)備的微型化。
因此，電阻對于整個電路的流暢來說是至關(guān)重要的，如果電阻損壞或使用了不合格有瑕疵的電阻器件，很有可能會對電路和安全帶來極大的影響。廣州源豐，專業(yè)的電阻類電子元件銷毀公司，有獨立的粉碎設(shè)備，專門針對損壞電阻，不合格電阻及瑕疵電阻做銷毀處理。

晶體二極管，簡稱二極管（diode）；它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個零件號接合的2個端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質(zhì)。晶體二極管為一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。
半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號在內(nèi)，根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點，把晶體二極管分類如下：
根據(jù)構(gòu)造分類：
⒈點接觸型二極管
點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構(gòu)造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應(yīng)用范圍較廣的類型。
⒉鍵型二極管
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接金或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用，有時也被應(yīng)用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。
⒊合金型二極管
在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。
⒋擴散型二極管
在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小，適用于大電流整流。
⒌臺面型二極管
PN結(jié)的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導(dǎo)體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號很少，而小電流開關(guān)用的產(chǎn)品型號卻很多。
⒍平面型二極管
在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。初，對于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關(guān)用的型號則很多。
⒎合金擴散型二極管
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質(zhì)，就能與合金一起過擴散，以便在已經(jīng)形成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當?shù)臐舛确植?。此法適用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。
⒏外延型二極管
用外延面長的過程制造PN結(jié)而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。