深圳黃金樹科技有限公司代理國(guó)內(nèi)MOSFET，IC 集成電路，橋堆 二三極管 可控硅等電子產(chǎn)品， 產(chǎn)品主要應(yīng)用于UPS、EPS、逆變電源、工業(yè)控制板、變頻電源、開關(guān)電源、電力操作電源、小家電，新能源，汽車電子等高科技行業(yè)，并致力于推廣供應(yīng)環(huán)保無(wú)鉛的綠色產(chǎn)品。 我們本著“誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，互惠互贏”的理念貫穿供應(yīng)，銷售，服務(wù)的始終。我們始終將“創(chuàng)新，進(jìn)取，誠(chéng)信合作，品質(zhì)，客戶，服務(wù)至上”作為商務(wù)合作發(fā)展的基石，愿我們持續(xù)，共同發(fā)展！深圳黃金樹科技有限公司是知名的電子元器件混合分銷商，成立于深圳龍華區(qū)，主要產(chǎn)品有SPM、IG、MOSFET、FRD(快恢復(fù)）、可控硅、光耦、IC、MCU等。代理品牌有：無(wú)錫新潔能（NCE)，江蘇捷捷微（JJM),福斯特（FIRST),臺(tái)灣博盛（POTENS)，優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨品牌有UTC友順，安森美(ON)，英飛凌(Infineon) ,NXP,ADI,RICHTEK,TI等。
本公司長(zhǎng)期備有新潔能全線產(chǎn)品。保證原廠原裝現(xiàn)貨庫(kù)存，NCE6012AS量大單價(jià)優(yōu)勢(shì)出貨，聯(lián)系電話：13510537787何
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NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6012AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 60V,ID =12A RDS(ON) < 11m? @ VGS=10V (Typ:8.6m?) RDS(ON) < 14m? @ VGS=4.5V (Typ:10.3m?) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized alanche voltage and current ● Low gate to drain charge to reduce switching losses Application ● Power switching application ● Load switch
NCE6012AS NCE6012AS SOP-8 ?330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID 12 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) 8.5 A Pulsed Drain Current IDM 120 A Maximum Power Dissipation PD 3 W Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA 42 ℃/W
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