強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司主營(yíng)：整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管

PL3331

編輯：LX

PL3331副邊導(dǎo)通時(shí)，電流首先流過(guò)功率 MOS 的體二極管，當(dāng)芯片檢測(cè)到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時(shí)，芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DON 開(kāi)啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。

PL3331當(dāng)流經(jīng)功率 MOS 的電流逐漸下降，直到 MOS 漏極與源極的壓差超過(guò) V OFF_TH 時(shí)，芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DOFF開(kāi)啟功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分別為-12mV 和 50ns。

PL3369B

PL3369是一款原邊控制，用于反激式開(kāi)關(guān)電源的恒流/恒壓調(diào)節(jié)器。其高度集成了功率開(kāi)關(guān)，并通過(guò)去除光耦以及次級(jí)控制電路，在簡(jiǎn)化充電器/適配器等傳統(tǒng)的恒流/恒壓設(shè)計(jì)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了的電流和電壓調(diào)節(jié)。

PL3369B的復(fù)合模式的應(yīng)用使芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。滿載時(shí)芯片工作在PFM模式，隨著負(fù)載降低，芯片會(huì)逐漸進(jìn)入到綠色模式，以提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。

PL3115B

PL3115B多種保護(hù)功能集成在芯片內(nèi)部以保護(hù)芯片出現(xiàn)異常狀態(tài)，主要包括：OCP、UVLO、OVP等，系統(tǒng)發(fā)生異常時(shí)，芯片將被保護(hù)，直到系統(tǒng)恢復(fù)正常狀態(tài)。

PL3115B提供SOP7封裝。

PL3115B是款恒流/恒壓原邊控制的高性能離線反激式開(kāi)關(guān)電源，僅需少數(shù)的外部元件，其內(nèi)部集成了包括功率MOSFET以及原邊控制模塊等高壓功率調(diào)節(jié)器。