前沿材料檢測(cè)設(shè)備-電弧等離子體沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

  電弧等離子體沉積系統(tǒng)（APD）利用脈沖電弧放電將電導(dǎo)材料離子化，產(chǎn)生高能離子并沉積在基底上，制備納米級(jí)薄膜鍍層或納米顆粒。電弧等離子體沉積系統(tǒng)利用通過控制脈沖能量，可以在1.5nm到6nm范圍內(nèi)控制納米顆粒直徑，活性好，產(chǎn)量高。多種靶材同時(shí)制備可生成新化合物。金屬/半導(dǎo)體制備同時(shí)控制腔體氣氛，可以產(chǎn)生氧化物和氮化物薄膜。高能量等離子體可以沉積碳和相關(guān)單質(zhì)體如非晶碳，納米鉆石，碳納米管 形成新的納米顆粒催化劑

技術(shù)原理：

1、在觸發(fā)電極上加載高電壓后，電容中的電荷充到陰極（靶材）上；
2、真空中的陽極和陰極（靶材）間，電子形成了蠕緩放電，并產(chǎn)生放電回路，靶材被加熱并形成等離子體；
3、通過磁場(chǎng)控制等離子體照射到基底上，形成薄膜或納米顆粒。

等離子體：

物質(zhì)由分子或原子組成， 而原子則由帶正電的原子核和核外帶有負(fù)電的電子所組成。帶負(fù)電的電子以一定的軌道不停地圍繞著原子核運(yùn)動(dòng)。在外層運(yùn)動(dòng)著的電子在外力的作用下（如受熱或電磁場(chǎng)的作用）脫離自己固定的軌道而形成自由電子。 這樣，原來中性的原子或分子失去電子后就成為帶正電的正離子，得到電子的原子或分子就成為帶負(fù)電的負(fù)離子。所以把由電子、正離子、負(fù)離子，中性的分子或原子所組成的而且其中粒子的正電荷與負(fù)電荷的總數(shù)相等的集合體稱之謂等離子體。

等離子體由于存在自由電子和其它帶電粒子而帶來了系列新的特征而區(qū)別于固、液、氣態(tài)作為物質(zhì)的一種獨(dú)立形態(tài)而存在，所以把等離子體稱為物質(zhì)第四態(tài)。在我們生產(chǎn)或生活中常見的焊接電弧日光燈、 閃電， 以及可控?zé)岷朔磻?yīng)均屬于等離子體?；鹧嬉彩且环N弱等離子體。

材料適用性：

  APD適用于元素周期表中大部分高導(dǎo)電性金屬，合金以及半導(dǎo)體。所用原料為直徑10mmX17mm長(zhǎng)圓柱體或管狀體，且電阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表顯示了可制備的材料，綠色代表完全適用，黃色代表在一定條件下適用。

主要應(yīng)用領(lǐng)域： 

1、制備新金屬化合物，或制備氧化物和氮化物薄膜（氧氣和氮?dú)夥諊?/span>

2、制備非晶碳，納米鉆石以及碳納米管的納米顆粒；
3、形成新的納米顆粒催化劑（廢氣催化劑，揮發(fā)性有機(jī)化合物分解催化劑，光催化劑，燃料電池電極催化劑，制氫催化劑）；
4、用熱電材料靶材制備熱電效應(yīng)薄膜。

 設(shè)備特點(diǎn)：

1.系統(tǒng)可以通過調(diào)節(jié)放電電容選擇納米顆粒直徑在1.5nm到6nm范圍內(nèi)。

2. 只要靶材是導(dǎo)電材料，系統(tǒng)就可以將其等離子體化。（電阻率小于0.01ohm.cm）。
3. 改變系統(tǒng)的氣氛氛圍，可以制備氧化物或氮化物。石墨在氫氣中放電能產(chǎn)生超納米微晶鉆石。
4. 用該系統(tǒng)制備的活性催化劑效果優(yōu)于濕法制備。
5. Model APD-P支持將納米顆粒做成粉末。Model APD-S適合在2英寸基片上制備均勻薄膜。