CSAR 62 auf Glas + Electra 92

Abb.: 30 – 150 nm Quadrate des CSAR 62 auf Glas

Die Kombination von CSAR 62 mit AR-PC 5090.02 bietet beste M?glichkeiten, komplizierte E-Beam-Strukturierungen auf Glas, Quarz oder semiisolierenden Substraten wie zB Galliumarsenid durchzuführen。Die sehr gute Empfindlichkeit und h?chste Aufl?sung des CSAR werden durch die Leitf?higkeit des Electra harmonisch erg?nzt。

PMMA-lift-off auf Glas mit Electra 92

使用 2 層 PMMA 剝離生產(chǎn)的 200 nm 正方形

最初，將 PMMA 抗蝕劑 AR-P 669.04（200 nm 厚）涂覆在石英基板上并回火。然后施加第二個 PMMA 抗蝕劑 AR-P 679.03（150 nm 厚）并回火，然后涂上 Electra 92。曝光后，用水去除 Electra 92，對 PMMA 結(jié)構(gòu)進(jìn)行顯影（AR 600-56）和基板用鈦/金蒸發(fā)。在用丙酮剝離后，所需的方塊

以高精度保留在玻璃上。

Electra 92 與石英上的 HSQ

20 nm 條 HSQ，在石英 AR-PC 5090.02 上制備

在 HSQ 抗蝕劑上涂上 Electra 92 后，即使這種抗蝕劑也可以在石英基板上以非常高的質(zhì)量進(jìn)行圖案化。HSQ 抗蝕劑（20 nm 厚）用所需的 4300 μC/cm2 面積劑量照射。SX AR-PC 5000/90.2 隨后在 2 分鐘內(nèi)用溫水完全去除，未檢測到殘留物。在 HSQ 抗蝕劑開發(fā)后，具有高精度 20 nm 條的結(jié)構(gòu)仍然存在。

特性

膜厚/4000 rpm (nm)

42納米

膜厚/1000 rpm (nm)

100 納米

分辨率（微米）

1,2 平方米/米

閃點 (°C)

28℃

儲存 6 個月 (°C)

8-12°C

合適的工藝化學(xué)品

卸妝

DI-Wasser