高溫衰老壽命試驗(HTOL)

參照規(guī)范：JESD22-A108；

檢測標準：

FordevicescontainingNVM,endurancepreconditioningmustbeperformedbeforeHTOLperQ100-005.

Grade0: 150℃Tafor1000hours.

Grade1: 125℃Tafor1000hours.

Grade2: 105℃Tafor1000hours.

Grade3: 85℃Tafor1000hours.

Vcc(max)atwhichdcandacparametricareguaranteed.Thermalshut-downshallnotoccurduringthistest.

TESTbeforeandafterHTOLatroom,hot,andcoldtemperature.

廣州市中科檢測是原信息產(chǎn)業(yè)部電子器件602計量站，通過50多年的發(fā)展趨勢，已經(jīng)變成一家全國各地化、綜合型的國有制第三方計量檢測機構(gòu)，致力于為客人給予計量檢定、檢驗、驗證及其技術(shù)服務(wù)與培圳等技術(shù)咨詢，在計量檢測、穩(wěn)定性與自然環(huán)境實驗、電子器件挑選與失效分析檢驗、車規(guī)電子器件驗證檢測、電磁兼容測試檢驗等眾多行業(yè)領(lǐng)域的工藝水平及業(yè)務(wù)流程經(jīng)營規(guī)模處在中國水準。

GRGT現(xiàn)階段具備下列處理芯片有關(guān)檢測工作能力及技術(shù)咨詢工作能力：

處理芯片穩(wěn)定性認證(RA)：

芯片級預(yù)備處理(PC)&MSL實驗、J-STD-020&JESD22-A113；

高溫儲存實驗(HTSL),JESD22-A103；

溫度循壞實驗(TC),JESD22-A104；

溫濕度記錄實驗(TH/THB),JESD22-A101；

高加快內(nèi)應(yīng)力實驗(HTSL/HAST),JESD22-A110；

高溫衰老壽命試驗(HTOL),JESD22-A108；

處理芯片靜電感應(yīng)檢測(ESD)：

身體充放電方式檢測(HBM),JS001；

電子器件蓄電池充放電方式檢測(CDM),JS002；

閂鎖測試(LU),JESD78；

TLP；Surge/EOS/EFT；

處理芯片IC失效分析(FA)：

電子光學(xué)查驗(VI/OM)；

電鏡查驗(FIB/SEM)

微芒剖析精準定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH；Micro-probe;

對焦電子束外部經(jīng)濟剖析(FIB)；

廣州市中科檢測失效分析試驗室AEC-Q技術(shù)性精英團隊，實行過很多的AEC-Q檢測實例，累積了充足的驗證實驗工作經(jīng)驗，可為您給予靠譜的AEC-Q驗證實驗服務(wù)項目。

GRGT精英團隊技術(shù)性工作能力：

電子器件失效分析、處理芯片合格率提高、封裝形式加工工藝監(jiān)管

電子器件競爭對手分析、加工工藝剖析

芯片級失效分析計劃方案turnkey

芯片級靜電感應(yīng)安全防護測試方法與服務(wù)平臺實驗設(shè)計方案

靜電感應(yīng)安全防護無效整頓技術(shù)性提議

電子器件穩(wěn)定性認證

材料分析服務(wù)支持與計劃方案

半導(dǎo)體器件剖析技巧

芯片測試地址：中科檢測-廣州市總公司實驗室。