碳化硅鋁散熱基板的發(fā)展

         散熱基板是功率半導(dǎo)體器件正常工作的一類(lèi)關(guān)鍵材料，至今經(jīng)歷了三代發(fā)展。以科瓦（Kovar）合金為代表的第一代封裝合金，解決了熱膨脹系數(shù)與芯片及陶瓷基片的匹配問(wèn)題，但導(dǎo)熱率過(guò)低；以W/Cu、Mo/Cu為代表的第二代封裝合金，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱與低膨脹，但價(jià)格高，比重大，難以滿(mǎn)足輕量化要求；碳化硅/鋁（SiC/Al）復(fù)合材料是第三代電子封裝基板材料，具有高導(dǎo)熱、低膨脹、輕質(zhì)化的綜合優(yōu)勢(shì)，但其制造技術(shù)被發(fā)達(dá)國(guó)家封鎖。目前，國(guó)內(nèi)缺乏高性能的SiCp/Al基板的生產(chǎn)能力，國(guó)內(nèi)高端功率半導(dǎo)體器件所需SiC/Al基板材料全部依靠進(jìn)口，其中90%來(lái)自日本Denka公司，其余主要為美國(guó)CPS公司，產(chǎn)品熱導(dǎo)率值170－200W/m?k、熱膨脹系數(shù)值為6.0-8.0×10?6/K。