強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
店齡6年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 廣東省深圳市
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強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 其他分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
電源芯片選型PL3369-PL3369-ASEMI
價(jià)格
訂貨量(件)
¥99.00
≥1
店鋪主推品 熱銷潛力款
専專將尃尋尊将専専尋專
強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
店齡6年 企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
李絢
聯(lián)系電話
専專將尃尋尊将専専尋專
經(jīng)營(yíng)模式
生產(chǎn)加工
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
PL3394A
編輯:LX
PL3394A主要特點(diǎn):
? 低的啟動(dòng)電流和工作電流
? PWM無噪音綠色控制模式
? 內(nèi)置提高EMI性能的頻率抖動(dòng)
? 內(nèi)置斜率補(bǔ)償
? CS端的前沿消隱
? VDD過壓和欠壓保護(hù)
? 輸出過壓/過載保護(hù)
? 逐周期限流保護(hù)
? 內(nèi)置軟啟動(dòng)
? 過溫保護(hù)
? 驅(qū)動(dòng)鉗位保護(hù)
PL3394A 主要應(yīng)用:
? 手機(jī)/充電器
? 鋰電池/數(shù)碼相機(jī)充電器
? 電視機(jī)電源
? 電源適配器
? LED 驅(qū)動(dòng)
? 消費(fèi)類的備用電源
PL3331
PL3331副邊導(dǎo)通時(shí),電流首先流過功率 MOS 的體二極管,當(dāng)芯片檢測(cè)到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時(shí),芯片經(jīng)過時(shí)間 T DON 開啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。
PL3331當(dāng)流經(jīng)功率 MOS 的電流逐漸下降,直到 MOS 漏極與源極的壓差超過 V OFF_TH 時(shí),芯片經(jīng)過時(shí)間 T DOFF開啟功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分別為-12mV 和 50ns。
PL3115B
PL3115B 是一款高效率、高集成度、原邊調(diào)節(jié)的 PWM 功率開關(guān)。PL3115B 通過去除光耦以及次級(jí)控制電路,簡(jiǎn)化了充電器/適配器等傳統(tǒng)的恒流/恒壓的設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)高精度的電壓和電流調(diào)節(jié)。
復(fù)合模式的應(yīng)用使得芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。內(nèi)置的頻率抖動(dòng)可以很好的降低芯片的 EMI以及 EMI 濾波成本,而且高集成的功率 MOSFET 能夠降低外部 PCB 的面積以及系統(tǒng)的成本。