深圳黃金樹科技有限公司代理國內MOSFET，IC 集成電路，橋堆 二三極管 可控硅等電子產品， 產品主要應用于UPS、EPS、逆變電源、工業(yè)控制板、變頻電源、開關電源、電力操作電源、小家電，新能源，汽車電子等高科技行業(yè)，并致力于推廣供應環(huán)保無鉛的綠色產品。 我們本著“誠信經(jīng)營，互惠互贏”的理念貫穿供應，銷售，服務的始終。我們始終將“創(chuàng)新，進取，誠信合作，品質為重，客戶為重，服務至上”作為商務合作發(fā)展的基石，愿我們持續(xù)，共同發(fā)展！深圳黃金樹科技有限公司是國內外知名的電子元器件混合分銷商，成立于深圳龍華區(qū)，主要產品有SPM、IGBT、MOSFET、FRD(快恢復）、可控硅、光耦、IC、MCU等。代理品牌有：無錫新潔能（NCE)，江蘇捷捷微（JJM),福斯特（FIRST),臺灣博盛（POTENS)，優(yōu)勢現(xiàn)貨品牌有UTC友順，安森美(ON)，英飛凌(Infineon) ,NXP,ADI,RICHTEK,TI等。聯(lián)系電話：13510537787何小姐 微信同步

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The JR0205 SCR series with the parallel resistor between Gate and Cathode are especially recommended for use on straight hair, igniter, anion generator, etc. MAIN FEATURES Symbol Value Unit IT(RMS) 2 A IGT ≤200 μA VTM ≤1.5 V 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Value Unit Storage junction temperature range Tstg -40-150 ℃ Operating junction temperature range Tj -40-110 ℃ Repetitive peak off-state voltage VDRM 600 V Repetitive peak reverse voltage VRRM 600 V RMS on-state current TO-92 (TC=60℃) IT(RMS) 2 A TO-251-4R/ TO-252-4R/ TO-126 (TC=72℃) SOT-89/SOT-223/ SOT-89-2L (TC=65℃) Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms) ITSM 20 A I 2 t value for fusing (tp=10ms) I2 t 2 A2 s Critical rate of rise of on-state current dI/dt 50 A/μs Peak gate current (tp=20μs, Tj=110℃) IGM 0.2 A Peak gate power (tp=20μs, Tj=110℃) PGM 0.5 W 

JR0205 Series                Average gate power dissipation(Tj=110℃) PG(AV) 0.1 W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25℃ unless otherwise specified) Symbol Test Condition Value Unit MIN. TYP. MAX. IGT VD=12V RL=33? - 40 200 μA VGT - 0.5 0.8 V VGD VD=VDRM Tj=110℃ 0.2 - - V IL IG=1.2 IGT - - 3 mA IH IT=0.05A - - 2 mA dV/dt VD=60%VDRM Tj=110℃ RGK=1K? 10 - - V/μs STATIC CHARACTERISTICS Symbol Parameter Value(MAX) Unit VTM ITM=4A tp=380μs Tj=25℃ 1.5 V IDRM VD=VDRM VR=VRRM Tj=25℃ 5 μA IRRM Tj=110℃ 100 μA THERMAL RESISTANCES Symbol Parameter Value Unit Rth(j-c) junction to case TO-92 30 ℃/W TO-251-4R/ TO-252-4R/ TO-126 6.5 SOT-223 20 SOT-89/ SOT-89-2L 25