強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
店齡6年 · 企業(yè)認(rèn)證 · 廣東省深圳市
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強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 其他分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
手機(jī)快充芯片PL3394AE-ASEMI-觸摸芯片PL3394AEMCU+RF-觸摸按鍵IC
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強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
店齡6年 企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
李絢
聯(lián)系電話
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經(jīng)營(yíng)模式
生產(chǎn)加工
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
PL3331
編輯:LX
PL3331 是一款用于反激式開(kāi)關(guān)電源的高性能同步整流芯片。其內(nèi)部集成了 40V 耐壓的功率開(kāi)關(guān),可替換反激式轉(zhuǎn)換器中的整流二極管,能夠有效提升系統(tǒng)效率。PL3331 可兼容支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式、連續(xù)工作模式或準(zhǔn)諧振工作模式的反激式轉(zhuǎn)換器。
PL3331 包含功率管開(kāi)啟和關(guān)斷的消隱功能。當(dāng)功率管開(kāi)啟后,會(huì)至少保持約 T ON_MIN ;當(dāng)功率管斷開(kāi)后,會(huì)至少保持約 T OFF_MIN 。保證無(wú)論開(kāi)關(guān),功率管都會(huì)持續(xù)一段時(shí)間,減少受干擾的可能。T ON_MIN 和T OFF_MIN 的典型值分別為 650ns 和 1.9us。
PL3331副邊導(dǎo)通時(shí),電流首先流過(guò)功率 MOS 的體二極管,當(dāng)芯片檢測(cè)到功率 MOS 漏極與源極壓差小于V ON_TH 時(shí),芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DON 開(kāi)啟功率 MOS。V ON_TH 和 T DON 的典型值分別為-200mV 和 80ns。
PL3331當(dāng)流經(jīng)功率 MOS 的電流逐漸下降,直到 MOS 漏極與源極的壓差超過(guò) V OFF_TH 時(shí),芯片經(jīng)過(guò)時(shí)間 T DOFF開(kāi)啟功率 MOS。V OFF_TH 和 T DOFF 的典型值分別為-12mV 和 50ns。
PL3332
PL3332是一款用于反激式開(kāi)關(guān)電源的同步整流芯片。其內(nèi)部集成了40V耐壓的功率開(kāi)關(guān),可替換反激式轉(zhuǎn)換器中的整流二極管,能夠有效提升系統(tǒng)效率。
PL3332 主要特點(diǎn):
? 內(nèi)置13mΩ(@Vgs=10V,Id=6A)40V功率開(kāi)關(guān)管
? 兼容DCM或QR反激開(kāi)關(guān)
? 自檢測(cè)開(kāi)通關(guān)斷
? 簡(jiǎn)化外圍器件
PL3332 主要應(yīng)用:
? 反激開(kāi)關(guān)電源
? 電源適配器
? 充電器
? 消費(fèi)類(lèi)的備用電源