半導體晶圓片激光切割 硅片 微納切割 閃電發(fā)貨—華諾激光晶圓硅片切割
華諾激光于2002年在北京成立，經過十多年的發(fā)展成為智能制造及激光應用解決方案權威供應商，是集研發(fā)、生產、銷售和服務為一體的高新技術企業(yè)，下屬華諾恒宇光能科技有限公司和天津華諾普銳斯科技有限公司兩家公司。
激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案，很好的避免了砂輪劃片存在的問題。如圖1所示，激光隱形切割是通過將脈沖激光的單個脈沖通過光學整形，讓其透過材料表面在材料內部聚焦，在焦點區(qū)域能量密度較高，形成多光子吸收非線性吸收效應，使得材料改性形成裂紋。每一個激光脈沖等距作用，形成等距的損傷即可在材料內部形成一個改質層。在改質層位置材料的分子鍵被破壞，材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式，將產品充分分開，并使得芯片與芯片之間產生間隙。這樣的加工方式避免了機械的直接接觸和純水的沖洗造成的破壞。目前激光隱形切割技術可應用于藍寶石/玻璃/硅以及多種化合物半導體晶圓。

1.激光切割、劃片是非機械式的，屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其他損壞現(xiàn)象。
2.激光切割、劃片采用的高光束質量的光纖激光器對芯片的電性影響較小，可以提高更高的切割成品率。
3.激光切割速度為150mm/s。切割速度較快。
4.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片。
5.激光可以切割一些較為復雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等。
6.激光切割不需要去離子水，不存在刀具磨損問題，可連續(xù)24小時作業(yè)。
7.激光具有很好的兼容性，對于不同的晶圓片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。
激光屬于無接觸式加工，不對晶圓產生機械應力的作用，對晶圓損傷較小。由于激光在聚焦上的優(yōu)點，聚焦點可小到微米數(shù)量級，從而對晶圓的微處理更具有優(yōu)越性，可以進行小部件的加工；即使在不高的脈沖能量水平下，也能得到較高的能量密度，有效地進行材料加工。大多數(shù)材料吸收激光直接將硅材料氣化，形成溝道。從而實現(xiàn)切割的目的因為光斑點較小，最低限度的炭化影響。
晶圓激光切割與傳統(tǒng)的機械切割法相比，這種新的方法有幾個重要的優(yōu)點。首先，這是一步即可完成的、干燥的加工過程。邊緣光滑整齊，不需要后續(xù)的清潔和打磨。并且，激光引致的分離過程產生高強度、自然回火的邊緣，沒有微小裂痕。使用這種方法，避免了不可預料的裂痕和殘破，降低了次品率，提高了產量。
因為裂痕是精確地沿著激光光束所劃出的痕跡， 激光引致的分離可以切劃出非常精確的曲線圖案。我們所做的實驗也證明了無論直線或是曲線，激光切割都能連續(xù)地、精確地完成設定圖案，重復性可達＋50μm。所以激光可以進行曲線圖形的精確切割。激光切割晶圓有速度快、精度高，定位準確等明顯優(yōu)勢。
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