北京吉天儀器有限公司主營：原子熒光光度計(jì),流動(dòng)注射分析儀

ICP光譜儀的優(yōu)點(diǎn)

1. 檢出限低。 一般可達(dá)0.1～1ug·g-1，值可達(dá)10-8～10-9g。用電感耦合等離子體(icp)新光源，檢出限可低至 數(shù)量級(jí)。

2. 用icp光源時(shí)，準(zhǔn)確度高，標(biāo)準(zhǔn)曲線的線性范圍寬，可達(dá)4～6個(gè)數(shù)量級(jí)?？赏瑫r(shí)測(cè)定高、中、低含量的不同元素。因此icp-aes已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域之中。

3. 樣品消耗少，適于整批樣品的多組分測(cè)定，尤其是定性分析更顯示出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。

ICP光譜儀是什么構(gòu)成的？

一臺(tái)典型的ICP光譜儀主要由一個(gè)光學(xué)平臺(tái)和一個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)組成。包括以下幾個(gè)主要部分：

1. 入射狹縫: 在入射光的照射下形成光譜儀成像系統(tǒng)的物點(diǎn)。

2. 準(zhǔn)直元件: 使狹縫發(fā)出的光線變?yōu)槠叫泄?。該?zhǔn)直元件可以是一獨(dú)立的透鏡、反射鏡、或直接集成在色散元件上，如凹面光柵光譜儀中的凹面光柵。

3. 色散元件: 通常采用光柵，使光信號(hào)在空間上按波長分散成為多條光束。

4. 聚焦元件: 聚焦色散后的光束，使其在焦平面上形成一系列入射狹縫的像，其中每一像點(diǎn)對(duì)應(yīng)于一特定波長。

5. 探測(cè)器陣列：放置于焦平面，用于測(cè)量各波長像點(diǎn)的光強(qiáng)度。該探測(cè)器陣列可以是CCD陣列或其它種類的光探測(cè)器陣列。

ICP發(fā)射光譜常見問題

1、影響等離子體溫度的因素有： 載氣流量：流量增大，中心部位溫度下降; 載氣的壓力：激發(fā)溫度隨載氣壓力的降低而增加; 頻率和輸入功率：激發(fā)溫度隨功率增大而，近似線性關(guān)系，在其他條件相同時(shí)，增加頻率，放電溫度降低; 第三元素的影響：引入低電離電位的釋放劑(如T1)的等離子體，電子溫度將增加。

2、電離干擾的消除和抑制 原子在火焰或等離子體的蒸氣相中電離而產(chǎn)生的干擾。它使火焰中分析元素的中性原子數(shù)減少，因而降低分析信號(hào)。在標(biāo)準(zhǔn)和分析試樣中加入過量的易電離元素，使火焰或等離子體中的自由電子濃度穩(wěn)定在相當(dāng)高的水平上，從而抑制或消除分析元素的電離。此外，由于溫度愈高，電離度愈大，因此，降低溫度也可減少電離干擾。