N9105PT9105/5串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片同級優(yōu)勢物料
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N9105PT9105/5串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片同級優(yōu)勢物料
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N9105PT9105-5串鋰離子-鋰聚合物電池保護芯片同級優(yōu)勢物料

價格

訂貨量(PCS)

¥0.10

≥2500

聯(lián)系人 楊博林

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產(chǎn)品特性 性能穩(wěn)定
品牌 華潤
型號 N9105
類型 Array
針腳數(shù) 16
用途 Array
封裝 SOP-16
系列 鋰電保護
功率 5串
批號 Array
特色服務 可提供技術支持
產(chǎn)品說明 原裝正品假一罰萬
包裝 編帶
應用領域 Array
商品介紹

N9105 5 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片

華潤矽威科技(上海)有限公司 WWW.CRPOWTECH.COM 第 1頁

N9105_DS_Rev CH1.0

概述

N9105 是一款專為保護 5 串鋰離子/聚合物電池的電池保護芯片,可降低因電池過充,過放,過溫和/或過流條件而導致的電池損壞或壽命縮短的風險。

±25mV 的過充電檢測電壓精度保證電池安全的全容量充電?!?0mV 的電流檢測電壓精度保證放電過流準確觸發(fā)。

N9105 的充電過溫保護閾值和放電過溫保護閾值可通過外部電阻獨立設置。

N9105 可以直接驅動外部 N 型的充電 MOSFET 和 N 型放電 MOSFET。

N9105 的低功耗設計讓電池包在存儲階段只消耗微不足道的電流。

應用

? 電動工具

? 家電

? 備用電池系統(tǒng)

特點

? 內置高精度電壓檢測電路: ? 過充電檢測電壓:

VCOV = 4.1V to 4.35V;50mV/step

精度:±25mV

? 過充電滯后電壓:

VΔCOV=0~300mV;100mV/step

? 過放電檢測電壓:

VCUV=2.3V to 2.9V;200mV/step

精度:±80mV

? 過放電滯后電壓:

VΔCUV =300mV~900mV; 200mV/step

? 內置三段放電過電流檢測電路: ? 過電流 1 檢測電壓:

VPDOC1= 50mV to 150mV;25mV/step 精度:±10mV

? 過電流 2 檢測電壓:

VPDOC2= 2* VPDOC1

精度:±20mV

? 負載短路檢測電壓:

VPSC= 4* VPDOC1 精度:±50mV

? 內置獨立的充電過溫和放電過溫保護,可通過外部電阻獨立設置充電過溫保護閾值和放電過溫保護閾值

? 內置充電低溫保護

? 各種延遲時間可通過外部電容設置

? 低消耗電流:

? 工作狀態(tài)時:典型值 25μA

? 休眠狀態(tài)時:<1μa

? 封裝:SOP-16

訂購信息

封裝 溫度范圍 訂購型號 包裝打印 產(chǎn)品打印

SOP-16 -40℃~85℃ N9105ESOP-YY

Tape and Reel 2500 units

N9105-YY xxxxxX

Note:

xxxxxX

Assembly Factory Code Lot Number

N9105 5 串鋰離子/鋰聚合物電池保護芯片

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N9105_DS_Rev CH1.0

典型應用電路

103AT

1K

1K

1K

1K

200R 1N4148

NCDRV

NDDRV

N9105

(SOP16)

VM

CS

CUVT COVT

TS

VCC VC5

VC4

VC3

VC2

VC1

VTD

1

2

3

4

5

6

8 9

11

12

13

14

15

16

47~470nF

47~470nF

47~470nF

4.7uF

47~470nF

100nF

100nF

R005

100R

47nF

10M

5.1K

DSG FET

5.1K

1K

47~470nF

1.2M

CHG FET

510K

20K

20K

VSS7 VTC 10

PCK-

PCK+

510K

圖 1. 充電 NMOSFET 和放電 NMOSFET 的典型應用電路

(注:禁止 0V 充電的簡易應用,單節(jié)電池電壓低于 1.5V 左右將禁止充電)

103AT

1K

1K

1K

1K

200R 1N4148

NCDRV

NDDRV

N9105

(SOP16)

VM

CS

CUVT COVT

TS

VCC VC5

VC4

VC3

VC2

VC1

VTD

1

2

3

4

5

6

8 9

11

12

13

14

15

16

47~470nF

47~470nF

47~470nF

4.7uF

47~470nF

100nF

100nF

R005

100R

47nF

10M

5.1K

DSG FET

5.1K

1K

47~470nF

1.2M

CHG FET

510K

20K

20K

VSS7 VTC 10

PCK-

PCK+

圖 2. 充電 NMOSFET 和放電 NMOSFET 的典型應用電路

(注:允許 0V充電的簡易應用)

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N9105_DS_Rev CH1.0

管腳定義圖

N9105 (SOP16)

VC4

1NCDRV

2VM

3NDDRV

4CS

5CUVT

6COVT

7VSS

8TS

16 VCC

15 VC5

114

13 VC3

12 VC2

11 VC1 10 VTC

9 VTD

圖 3. 管腳定義圖

管腳描述

引腳號碼 引腳名稱 引腳功能描述

1 NCDRV 充電 NMOSFET 驅動

2 VM 負載開路檢測和充電器檢測引腳

3 NDDRV 放電 NMOSFET 驅動

4 CS 電流檢測電壓輸入引腳

5 CUVT 電池欠壓保護延遲時間設定引腳,外接電容

6 COVT 電池過壓保護延遲時間設定引腳,外接電容

7 VSS 芯片負電源輸入引腳

8 TS 溫度檢測電壓輸入引腳

9 VTD 放電過溫保護閾值設定引腳

10 VTC 充電過溫保護閾值和充電低溫保護閾值設定引腳

11 VC1 電芯 1 正極輸入,電芯 2 負極輸入

12 VC2 電芯 2 正極輸入,電芯 3 負極輸入

13 VC3 電芯 3 正極輸入,電芯 4 負極輸入

14 VC4 電芯 4 正極輸入,電芯 5 負極輸入

15 VC5 電芯 5 正極輸入

16 VCC 芯片正電源輸入引腳,連接電池組正端

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N9105_DS_Rev CH1.0

簡化模塊圖

VCC

VC5

VTC

VTD

NDDRV

NCDRV

電池電壓檢測

過壓檢測

欠壓檢測

邏輯控制

延時控制

充放電控制過流1檢測

電池通道控制

VSS

CS

UV

OV

Control

DOCP1

Ld-Open/ Charger in

負載/充電器檢測

溫度檢測控制

DOT

TS

CUT

溫度檢測

放電過溫檢測

充電低溫檢測 Control

Control

過流2檢測

短路檢測電流檢測

DOCP2

SCP

放電管驅動

充電管驅動

VM

VC4

VC3

VC2 VC1

充電過溫檢測

CUVT COVT

COT

圖 4. 內部模塊簡化圖

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N9105_DS_Rev CH1.0

極限參數(shù)(注 1)

(無特別說明,Ta=25°C)

參數(shù) 符號 對應引腳 參數(shù)范圍 單位

VCC引腳輸入電壓范圍 VCC VCC VSS-0.3 to VSS+35 V

低壓引腳電壓范圍 VIN_LV

CS, CUVT, COVT, TS, VTD, VTC

VSS-0.3 to VSS+5.5 V

VM 引腳電壓范圍 VVM VM VSS-0.3 to VCC+0.3 V

電池輸入引腳電壓范圍

VC(n) to VC(n-1), n=2 to 5;

VC1 to VSS

VCELL

VC5, VC4, VC3, VC2, VC1

-0.3 to +8 V

NCDRV 引腳電壓范圍 VNCDRV NCDRV VCC-35 to VCC+0.3 V

NDDRV 引腳電壓范圍 VNDDRV NDDRV VSS-0.3 to VSS +15 V

ESD (HBM) (注 2) ±2 KV 工作結溫范圍 TA -40 to +85 °C 存儲溫度范圍 TSTG -40 to +125 °C

PN 結到環(huán)境熱阻(SOP-16) JA

?

130 °C/W

注 1:極限值是指超出該工作范圍

注 2:HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014

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N9105_DS_Rev CH1.0

電氣參數(shù)

(無特別說明,Ta=25°C,VCELL=3.6V)

參數(shù) 符號 條件 最小值 典型值 值 單位

VCC 供電

輸入電壓工作范圍 VCC 4.0 25 V

輸入電流

IVCC_NOR 正常狀態(tài),VCELL=3.6V 25 35 μ A

IVCC_PD 關斷狀態(tài),VCELL=1.8V 0.6 1.0 μ A

啟動電壓 VPOR 4.8 V

放電 MOSFET驅動電源 VVREGH

VCC>VVREGH+1V 8.0 10.5 13 V

VCC

電池檢測電路輸入電流 (IVC5, IVC4, IVC3, IVC2, IVC1)

正常狀態(tài)的 VC5 輸入電流 IVC5 VCELL=3.6V 12.0 15.0 μ A 正常狀態(tài)的 VC(n) 輸入電流 IVCn VCELL=3.6V, n=1 ~ 4 -0.5 +0.5 μ A 電壓保護參數(shù)

過充電保護電壓:

4.1V~4.35V可選;50mV/step

VCOV VCOV-25 VCOV VCOV+25 mV

過充電恢復電壓:

VCOVR =VCOV-VΔCOV; VΔCOV:

0~300mV;100mV/step

VCOVR VCOVR-25 VCOVR VCOVR+25 mV

過放電保護電壓:

2.3V~2.9V可選;200mV/step

VCUV VCUV-80 VCUV VCUV+80 mV

過放電恢復電壓:

VCUVR= VCUV+ VΔCUV;

VΔCUV:300mV~900mV;200mV/step

VCUVR VCUVR-80 VCUVR VCUVR+80 mV

電流保護參數(shù)

過電流 1保護電壓:

50mV~150mV可選;25mV/step

VPDOC1 VPDOC1-10 VPDOC1 VPDOC1+10 mV

過電流 2保護電壓:

VPDOC2=2* VPDOC1

VPDOC2 VPDOC2-20 VPDOC2 VPDOC2+20 mV

負載短路保護電壓:

VPSC=4* VPDOC1

VPSC VPSC-50 VPSC VPSC+50 mV

溫度保護參數(shù)

放電過溫保護閾值 tDOT 由連接到 VTD引腳的電阻設定 tDOT-5 tDOT tDOT+5 °C 放電過溫恢復遲滯 tΔDOT 10 °C 放電過溫恢復閾值 tDOTR tDOTR = tDOT –tΔDOT tDOTR-5 tDOTR tDOTR+5 °C 充電過溫保護閾值 tCOT 由連接到 VTC引腳的電阻設定 tCOT-5 tCOT tCOT+5 °C 充電過溫恢復遲滯 tΔCOT 5 °C 充電過溫恢復閾值 tCOTR tCOTR = tCOT –tΔCOT tCOTR-5 tCOTR tCOTR+5 °C 充電低溫保護閾值 tCUT 由連接到 VTC引腳的電阻設定 tCUT-5 tCUT tCUT+5 °C 充電低溫恢復遲滯 tΔCUT 5 °C 充電低溫恢復閾值 tCUTR tCUTR = tCUT + tΔCUT tCUTR-5 tCUTR tCUTR+5 °C 充放電狀態(tài)檢測電壓 VDSG 2.0 3.5 6.5 mV 檢測延遲時間

過充電保護延遲時間 TCOV CCOVT=0.1μF 0.6 1.0 1.4 S 過放電保護延遲時間 TCUV CCUVT=0.1μF 0.6 1.0 1.4 S 過放電后芯片進入休眠延遲時間 TCUV_PD CCUVT=0.1μF 11 S 過電流 1保護延遲時間 TPDOC1 CCUVT=0.1μF 0.6 1.0 1.4 S 過電流 2保護延遲時間 TPDOC2 CCUVT=0.1μF 0.06 0.1 0.14 S 負載短路保護延遲時間 TPSC 內部固定延遲 100 250 500 μS

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N9105_DS_Rev CH1.0

溫度檢測周期 TTDET CCOVT=0.1μF 0.5 1.0 1.5 S

MOSFET 驅動參數(shù)

NCDRV引腳輸出電流能力 INCDRV

VCELL=3.6V,VNCDRV=VCC–3V 4 6 8 μA

充電保護事件發(fā)生 Hi-Z

NDDRV引腳輸出電壓

VNDDRVH 無放電保護事件發(fā)生 = VVREGH VNDDRVL 放電保護事件發(fā)生 0.4 V

VM

VM引腳吸收電流能力 IVM 負載開路檢測 50 μ A

功能描述

1. 上電過程

當電源接入,VCC 上升,放電 MOSFET 默認關閉;當 VCC≥VPWR-ON,N9105 將檢測是否有放電保護事件發(fā)生。如果沒有放電保護事件且負載斷開,驅動打開放電

MOSFET,N9105 進入正常工作狀態(tài)。

2. 放電過電流保護

N9105 有三段放電過電流保護功能。

PDOC1:當 VCS≥VPDOC1 且延遲時間 TD≥TPDOC1,

PDOC1 觸發(fā),放電 MOSFET 關閉。

PDOC2:當 VCS≥VPDOC2 且延遲時間 TD≥TPDOC2,

PDOC2 觸發(fā),放電 MOSFET 關閉。

PSC:當 VCS≥VPSC且延遲時間 TD≥TPSC,PSC 觸發(fā),放電 MOSFET 關閉

PDOC1,PDOC2 和 PSC 只有在負載開路時才會解除。

3. 溫度保護

在正常工作條件下,N9105 每個 TTDET 周期輪流檢測過溫保護和低溫保護。

放電狀態(tài)

DOT:N9105 一旦檢測到電池組的溫度高于放電過溫保 護 閾 值 tDOT , 放 電 過 溫 保 護 DOT 觸 發(fā) , 充 放 電

MOSFET 同時關閉。

DOT 恢復:當滿足以下條件時,放電過溫保護狀態(tài)將被解除。

a) 電池組溫度降低至放電過溫恢復閾值 tDOTR 及以下。

放電過溫保護狀態(tài)解除時,充電 MOSFET 恢復,放電

MOSFET 恢復還需要滿足以下條件:

a) 負載被移除或者充電器插入。

充電狀態(tài)

COT:N9105 一旦連續(xù)檢測到電池組的溫度高于充電過溫保護閾值 tCOT 兩次,充電過溫保護 COT 觸發(fā),充電

MOSFET 關閉。

COT 恢復:當以下兩個條件之一發(fā)生時,充電過溫保護狀態(tài)就會被解除。

a) 電池組溫度低于充電過溫保護恢復閾值 tCOTR 及以下。

b) 檢測到放電電流。

CUT:N9105 一旦連續(xù)檢測到電池組的溫度低于充電低溫保護閾值 tCUT 兩次,充電低溫保護 CUT 觸發(fā),充電

MOSFET 關閉。

CUT 恢復:當以下兩個條件之一發(fā)生時,充電低溫保護狀態(tài)就會被解除。

a) 電池組溫度高于充電低溫保護恢復閾值 tCUTR 及以上。

b) 檢測到放電電流。

DOT、COT、CUT 閾值設定

圖 5 是溫度檢測電路,熱敏電阻為 B=3435 的 NTC:

103AT。

R1

103AT

R2

TS

VTD

VTC

VSS

Current sense resistor

Discharge current direction

N9105

圖 5.溫度檢測電路

DOT 閾值設定 如圖 5,DOT 閾值由連接到 VTD 的電阻 R1 設定:

R1=9*RDOT

其中,RDOT 是熱敏電阻 103AT 在 DOT 溫度閾值所對

應的阻值。 例如:

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N9105_DS_Rev CH1.0

設置 DOT 閾值為 65°C, 對 應 的熱 敏電 阻 阻 值RDOT=2.588KΩ,則 R1=23KΩ。 設置 DOT 閾值為 70°C, 對 應 的熱 敏電 阻 阻 值RDOT=2.228KΩ,則 R1=20KΩ。 設置 DOT 閾值為 75°C, 對 應 的熱 敏電 阻 阻 值RDOT=1.924KΩ,則 R1=17KΩ。

COT/CUT 閾值設定

COT/CUT 閾值由連接到 VTC 的電阻 R2 設定:

R2=4.75RCOT

其中,RCOT 是熱敏電阻 103AT 在 COT 溫度閾值所對

應的阻值。

CUT 閾值由 RCOT決定:

RCUT=7.125RCOT 例如: 設置 COT 閾值為 45°C, 對 應 的熱 敏電 阻 阻 值RCOT=4.911KΩ,則 R2=23KΩ,RCUT=34.5KΩ,對應的CUT 閾值為-5.5°C 。

設置 COT 閾值為 50°C, 對 應 的熱 敏電 阻 阻 值RCOT=4.16KΩ,則 R2=20KΩ,RCUT=30KΩ,對應的 CUT 閾值為-2°C 。

COT 閾值和 DOT 閾值由外部電阻 R1 和 R2 分別設置,可使應用更加靈活和便利。 取消 DOT/COT/CUT 功能: 用 20KΩ 的電阻替代熱敏電阻將不會觸發(fā) COT、DOT 和 CUT。

僅取消 CUT 功能:

將一個 51KΩ 的電阻與熱敏電阻并聯(lián)將不會觸發(fā)

CUT。

4. 過充電保護 一旦任何一節(jié)電池電壓超過 VCOV 并持續(xù) TCOV 及以上,N9105 就進入過充電保護狀態(tài)(COV),充電 MOSFET 關閉。在 COV 狀態(tài),N9105 一旦檢測到放電電流,充電MOSFET 打開。

當每節(jié)電池的電壓都低于 VCOVR,N9105 退出過充電狀 態(tài) , 此 時 若 無 其 他 充 電 保 護 事 件 , 則 打 開 充 電

MOSFET。

5. 過放電保護 一旦任何一節(jié)電池電壓低于 VCUV并持續(xù) TCUV及以上,N9105 就進入過放電保護狀態(tài)(CUV),放電 MOSFET 關閉,同時打開充電器檢測功能。

CUV 恢復:

a) 所有電池電壓被充電至 VCUVR及以上。 放電 MOSFET 恢復還需要滿足以下條件:

a) 負載被移除或者充電器插入。

6. 休眠狀態(tài) 在過放電狀態(tài),如果同時滿足以下條件,N9105 將進

入休眠狀態(tài):

a) 無任何充電保護事件(過充電、充電過溫、充電低溫)。

b) 過放電狀態(tài)持續(xù) TCUV_PD及以上。 在休眠狀態(tài),放電 MOSFET 關閉,充電 MOSFET 打開,大部分內部電路停止工作,消耗電流降低至 IVCC_PD 或更低。

休眠狀態(tài)恢復需要滿足以下條件:

a) 充電器插入。

7. 延遲時間設置

過充電保護延遲時間(TCOV)和溫度檢測周期(TTDET)由連

接到 COVT 引腳的外部電容設置。

過放電保護延遲時間(TCUV)、關斷延遲時間(TCUV_PD)和一段/二段過電流延遲時間(TPDOC1& TPDOC2)由連接到 CUVT 引腳的外部電容設置。 短路保護延遲(TPSC)為固定的 250μS (典型值)。 典型值:

TCOV [s] = 10 * CCOVT [μF]

TTDET [s] = 10 * CCOVT [μF]

TCUV [s] = 10 * CCUVT [μF]

TCUV_PD [s] = 110* CCUVT [μF]

TPDOC1 [s] = 10 * CCUVT [μF]

TPDOC2 [s] = 1.0 * CCUVT [μF]

產(chǎn)品名目錄

Part Number

COV

Threshold

VCOV

COV release

Threshold

VCOVR

CUV

Threshold

VCUV

CUV release

Threshold

VCUVR

Pack Level- 1

OC Threshold

VPDOC1

Pack Level-2

OC Threshold

VDOCP2

Pack SC

Threshold

VPSC

N9105ESOP-AA

4.25 ±0.025V

4.05 ±0.025V

2.7 ±0.08V

3.0 ±0.08V

0.1 ±0.01V

0.2 ±0.02V

0.4 ±0.05V

注:需要上述檢測電壓值以外的產(chǎn)品時,請向本公司營業(yè)部咨詢。

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N9105_DS_Rev CH1.0

封裝信息

SOP-16

A1

A3

A

D

A2

b e

B B

EE1

SYMBOL

MILLIMETER

MIN NOM MAX

A _ _ 1.77

A1 0.08 0.18 0.28

A2 1.20 1.40 1.60

A3 0.55 0.65 0.75 b 0.39 _ 0.48 b1 0.38 0.41 0.43 c 0.21 _ 0.26 c1 0.19 0.20 0.21 D 9.70 9.90 10.10

E 5.80 6.00 6.20

E1 3.70 3.90 4.10 e 1.27BSC

L 0.50 0.65 0.80 L1 1.05BSC

θ 0 _ 8°

SECION B-B

b b1

c1 c

BASE METAL

WITH PLATING

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N9105_DS_Rev CH1.0

重要聲明

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華潤矽威保證其所銷售的產(chǎn)品的性能符合產(chǎn)品銷售時半導體產(chǎn)品銷售條件與條款的適用規(guī)范。僅在華潤矽威保證的范圍內,且華潤矽威認為有必要時才會使用測試或其它質量控制技術。除非適用法律做出了硬性規(guī)定,否則沒有必要對每種產(chǎn)品的所有參數(shù)進行測試。

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華潤矽威產(chǎn)品未獲得用于FDA Class III(或類似的生命攸關醫(yī)療設備)的授權許可,除非各方授權官員已經(jīng)達成了專門管控此類使用的特別協(xié)議。

只有那些華潤矽威特別注明屬于軍用等級或“增強型塑料”的華潤矽威產(chǎn)品才是設計或專門用于軍事/航空應用或環(huán)境的。購買者認可并

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華潤矽威未明確指定符合ISO/TS16949 要求的產(chǎn)品不能應用于汽車。在任何情況下,因使用非指定產(chǎn)品而無法達到ISO/TS16949 要求,華潤矽威不承擔任何責任。



聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市鑫順祥科技有限公司
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地址 廣東省深圳市