（一）產(chǎn)品簡介：

基于ARM Cortex-M3微處理器平臺(tái)的MSG-RTY二極管熱逃逸測試電源系統(tǒng)，系統(tǒng)組成采用N+模式，獨(dú)特的ZVZS“零電壓”高頻開關(guān)測試電源技術(shù)、+友好的人機(jī)對話界面，系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于光伏行業(yè)、電子元件、二極管生產(chǎn)企業(yè)、研究所、實(shí)驗(yàn)室等場所。可以幫助您快速的進(jìn)行項(xiàng)目開發(fā)、例試及學(xué)習(xí)！

（二）解決用戶困惑

? 因產(chǎn)品品質(zhì)問題常常收到用戶的抱怨

? 整機(jī)廠等下游終端用戶高額的處罰

? 傳統(tǒng)測試電源輸出不穩(wěn)定，難以滿足產(chǎn)線、實(shí)驗(yàn)室的使用需求

（三）給用戶帶來的價(jià)值：

? 替代進(jìn)口元器件采購，可以有效降低 20%成本

? 幫助用戶工程師節(jié)約≥N+小時(shí)，有效解放雙手以創(chuàng)造更多價(jià)值

? 有效提高試驗(yàn)產(chǎn)品的品質(zhì)，為廠家創(chuàng)造市場競爭力5%~10%

（四）產(chǎn)品亮點(diǎn):

? 高效率、低損耗、體積小可以勝任各種環(huán)境

? 采用TI集成控制電路、ON/安森美等功率器件擴(kuò)展，動(dòng)態(tài)響應(yīng)≤20ms

? 采用ZVZS“零電壓”開關(guān)電路，有效節(jié)能

? 友好的人機(jī)對話界面，提升極致操作體驗(yàn)

（五）測試方法

什么是旁路二極管熱逃逸（失控）？

作為太陽能組件中的旁路二極管，在反向偏置電流增加的情況下，溫度會(huì)升高。如果旁路二極管在反向偏置時(shí)會(huì)產(chǎn)生持續(xù)漏電流造成二極管結(jié)溫增加，最差的情況是溫升超過了接線盒的冷卻能力。溫升和漏電流造成旁路二極管損壞的現(xiàn)象叫做熱逃逸（失控）。

旁路二極管熱逃逸（失控）測試方法

1.測試條件

a.組件溫度：90±2℃（屋頂類組件），75±2℃（開放支架類）

b.正向電流：1.25倍STC下組件短路電流

c.反向偏置電壓：數(shù)值等同STC下組件開路電壓

2.測試方法

a.獲取旁路二極管特性數(shù)據(jù)，在室溫（25±5℃）條件下測其反向特性，需覆蓋正向電流和反向偏置電壓。

b.在室溫（25±5℃），給接線盒通正向電流。測量每一個(gè)二極管的Tlead，選出溫度最高的旁路二極管。

c.將樣品放入環(huán)境箱中（溫度90℃或者75℃），給旁路二極管通至少40分鐘正向電流，直到Tlead穩(wěn)定在（+0.3℃，-0℃）保持10分鐘

d.關(guān)閉正向電流，并在10ms內(nèi)提供反向偏置電壓到旁路二極管。繼續(xù)監(jiān)測漏電流和二極管溫度。大多數(shù)情況下，漏電流和Tlead在小范圍內(nèi)上下浮動(dòng)。臨界情況下，需看最后的變化方向，這種情況測試必須持續(xù)至少2分鐘。

e.從環(huán)境箱中取出樣品，室溫下（25±5℃）測量旁路二極管反向特性，并與原始數(shù)據(jù)對比。

4判定標(biāo)準(zhǔn)

 如果Tlead和漏電流減少，并且反向特性與實(shí)驗(yàn)前無明顯差別，此旁路二極管視為通過?。

1.提供11.27A正向電流持續(xù)一小時(shí)

2.一小時(shí)后的二極管溫度：121.8℃

3.10ms內(nèi)切換至15.06V反向偏置電壓

4.切換后二極管溫度：109.0℃<121.8℃。

 如果Tlead和漏電流增加，或反向特性與實(shí)驗(yàn)前差別明顯，此旁路二極管視為失敗?

★以上產(chǎn)品選型為常用規(guī)格，特殊規(guī)格可以定制

電話 ： 0514-8760 7696  6*8H

手機(jī) ：  137 2107 5633   7*24H

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