SEMiX402GAL066HDsIGBT模塊 上海菲茲
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SEMiX402GAL066HDsIGBT模塊-上海菲茲

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聯(lián)系人 張嵐颯

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發(fā)貨地 上海市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號(hào) new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時(shí),IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏電流范圍內(nèi), Id 與Ugs呈線性關(guān)系。柵源電壓受漏電流限制,其值一般取為15V左右。
SEMiX402GAL066HDsIGBT模塊
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菲茲電子愿為廣大客戶提供優(yōu)良的產(chǎn)品、滿意的服務(wù)。
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科技創(chuàng)新、互惠互利、共同發(fā)展是我們的共同目標(biāo)!
聯(lián)系方式
公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 張嵐颯 (QQ:1539653456)
電話 䀍䀑䀋-䀐䀋䀍䀍䀓䀋䀑䀐
手機(jī) 䀋䀒䀌䀋䀌䀌䀌䀍䀌䀏䀔
傳真 䀍䀑䀋-䀔䀋䀌䀒䀔䀌䀔䀏
地址 上海市