IG的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關損耗組成，不同的開關頻率，開關損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IG通態(tài)損耗的飽和壓降VCE（sat）和決定IG開關損耗的開關時間（ton，toff）又是一對矛盾，因此應根據不同的開關頻率來選擇不同特征的IG。
在低頻如fk《10KHz時，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IG系列。對于英飛凌產品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IG；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢?！癒T3”由于開關速度更快，對吸收與布線要求更高。

對于一個具體的應用來說，在選擇英飛凌IG模塊時需考慮其在任何靜態(tài)、動態(tài)、過載（如短路）的運行情況下：
（i）： 器件耐壓;
（ii）： 在實際的冷卻條件下，電流的承受力;
（iii）：的開關頻率;
（iv）：安全工作區(qū)（SOA）限制;
（v）： 運行溫度限制。
一、器件耐壓的選擇
因為大多數IG模塊工作在交流電網通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以通常IG模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載，電網波動，開關過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設備選擇IG 器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收等設計比較好，就可以使用較低耐壓的IG模塊承受較高的直流母線電壓。

infineon英飛凌IG模塊FF300R12KT3，可控硅IG

IGCT集成門極換流晶閘管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一種中壓變頻器開發(fā)的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體開關器件(集成門極換流晶閘管=門極換流晶閘管+門極單元)。1997年由ABB公司提出。

IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯(lián)二極管和門極驅動電路集成在一起，再與其門極驅動器在外圍以低電感方式連接，結合了晶體管的穩(wěn)定關斷能力和晶閘管低通態(tài)損耗的優(yōu)點，在導通階段發(fā)揮晶閘管的性能，關斷階段呈現(xiàn)晶體管的特性。IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、低導通損耗等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。

英飛凌IG模塊，infineon英飛凌IG模塊FF300R12KT3