博科金屬TA2高純鈦靶 耐腐蝕耐高溫鈦塊餅多種規(guī)格
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博科金屬TA2高純鈦靶-耐腐蝕耐高溫鈦塊餅多種規(guī)格

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寶雞博科金屬制品有限公司

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商品參數(shù)
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商品介紹
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品牌 博科金屬
材質(zhì) 鈦合金
分類(lèi) 鈦靶材
產(chǎn)地 寶雞
規(guī)格 按照客戶(hù)需求定制
型號(hào) 齊全
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) 國(guó)標(biāo)
應(yīng)用行業(yè) 航空,化工,石油,機(jī)械,醫(yī)療
產(chǎn)品特性 耐高溫腐蝕
生產(chǎn)工藝 鍛造_熱軋-冷軋_退火_酸洗
商品介紹

眾所周知,靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān),隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn),靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如Ic制造商.近段時(shí)間致力于低電阻率銅布線的開(kāi)發(fā),預(yù)計(jì)未來(lái)幾年將大幅度取代原來(lái)的鋁膜,這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開(kāi)發(fā)將刻不容緩。另外,近年來(lái)平面顯示器(FPD)大幅度取代原以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng).亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。此外在存儲(chǔ)技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤(pán),高密度的可擦寫(xiě)光盤(pán)的需求持續(xù)增加.這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域,以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢(shì)。

微電子領(lǐng)域

在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來(lái).而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒,這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大,過(guò)去99.995%(4N5)純度的銅靶,或許能夠滿(mǎn)足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無(wú)法滿(mǎn)足如今0.25um的工藝要求,而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝,所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。銅與鋁相比較,銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率,能夠滿(mǎn)足!導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問(wèn)題:銅與有機(jī)介質(zhì)材料的附著強(qiáng)度低.并且容易發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致在使用過(guò)程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。為了解決以上這些問(wèn)題,需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物,因此要求阻擋層厚度小于50nm,與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的.需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是難熔金屬.制作相對(duì)困難,如今正在鉬、鉻等的臺(tái)金作為替代材料。

顯示器用

平面顯示器(FPD)這些年來(lái)大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng),亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié),一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜,但是靶表面會(huì)氧化而影響濺射率,并且不易得到大尺寸的臺(tái)金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn)ITO靶材,利用L}IRF反應(yīng)濺射鍍膜.它具有沉積速度快.且能控制膜厚,電導(dǎo)率高,薄膜的一致性好,與基板的附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)l。但是靶材制作困難,這是因?yàn)檠趸熀脱趸a不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑,能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材,這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。日本的科學(xué)家采用Bizo作為添加劑,Bi2O3在820Cr熔化,在l500℃的燒結(jié)溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā),這樣能夠在液相燒結(jié)條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒,這樣可以簡(jiǎn)化前期的工序。采川這樣的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率達(dá)到8.1×10n-cm,接近純的ITO薄膜的電阻率。FPD和導(dǎo)電玻璃的尺寸都相當(dāng)火,導(dǎo)電玻璃的寬度甚至可以達(dá)到3133_,為了提高靶材的利用率,開(kāi)發(fā)了不同形狀的ITO靶材,如圓柱形等。2000年,國(guó)家發(fā)展計(jì)劃委員會(huì)、科學(xué)技術(shù)部在《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域指南》中,ITO大型靶材也列入其中。

存儲(chǔ)用

在儲(chǔ)存技術(shù)方面,高密度、大容量硬盤(pán)的發(fā)展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤(pán)需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展,用它制造的磁光盤(pán)具有存儲(chǔ)容量大,壽命長(zhǎng),可反復(fù)無(wú)接觸擦寫(xiě)的特點(diǎn)。如今開(kāi)發(fā)出來(lái)的磁光盤(pán),具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu),TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58,而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過(guò)發(fā)現(xiàn),低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度。

基于鍺銻碲化物的相變存儲(chǔ)器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場(chǎng)的一項(xiàng)替代性存儲(chǔ)器技術(shù),不過(guò),在實(shí)現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲(chǔ)器的耗電量,延長(zhǎng)電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對(duì)于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費(fèi)設(shè)備來(lái)說(shuō)都是很重要的特征。 



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