IG模塊和普通IG的區(qū)別
一樣型號(hào) IG模塊和普通IG的區(qū)別，主要不同在哪里，里面的芯片大小一樣嗎，模塊的發(fā)果上面標(biāo)150A能達(dá)到150A嗎？
IG模塊是幾個(gè)單元的IG綜合在一起，比如3單元的，就等于三個(gè)單管IG，這樣的好處可以節(jié)約空間。一般在10KW以上的設(shè)備基本都是用模塊才可以，而低功率的用單管IG，成本低很多。

infineon英飛凌IG模塊FP25R12KS4C

一、逆變器IG模塊檢測(cè)
將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔，測(cè)試IG模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IG模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除，使用二極管測(cè)試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為zui大；將表筆反過(guò)來(lái)，黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為zui大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說(shuō)明IG模塊性能變差，應(yīng)予更換。IG模塊損壞時(shí)，只有擊穿短路情況出現(xiàn)。

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對(duì)于一個(gè)具體的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，在選擇英飛凌IG模塊時(shí)需考慮其在任何靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、過(guò)載（如短路）的運(yùn)行情況下：
（i）： 器件耐壓;
（ii）： 在實(shí)際的冷卻條件下，電流的承受力;
（iii）：的開(kāi)關(guān)頻率;
（iv）：安全工作區(qū)（SOA）限制;
（v）： 運(yùn)行溫度限制。
一、器件耐壓的選擇
因?yàn)榇蠖鄶?shù)IG模塊工作在交流電網(wǎng)通過(guò)單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以通常IG模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)?？紤]到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IG 器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IG模塊承受較高的直流母線電壓。

infineon英飛凌IG模塊FP25R12KS4C,可控硅晶閘管

IG的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流，使IG導(dǎo)通。
反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IG關(guān)斷。IG的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。
當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IG在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

常見(jiàn)問(wèn)題：

問(wèn)題1。貴公司的優(yōu)勢(shì)是什么？

A1。我公司擁有專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)和專(zhuān)業(yè)的生產(chǎn)線。

問(wèn)題2。我為什么要選擇你們的產(chǎn)品？

A2。我們的產(chǎn)品質(zhì)優(yōu)價(jià)廉。

問(wèn)題3。你們公司還能提供其他什么好的服務(wù)嗎？

A3。是的，我們可以提供良好的售后服務(wù)和快速交貨。