IG模塊和普通IG的區(qū)別
一樣型號(hào) IG模塊和普通IG的區(qū)別，主要不同在哪里，里面的芯片大小一樣嗎，模塊的發(fā)果上面標(biāo)150A能達(dá)到150A嗎？
IG模塊是幾個(gè)單元的IG綜合在一起，比如3單元的，就等于三個(gè)單管IG，這樣的好處可以節(jié)約空間。一般在10KW以上的設(shè)備基本都是用模塊才可以，而低功率的用單管IG，成本低很多。

IG在高頻下工作時(shí)，其總損耗與開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系比較大，因此若希望IG工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IG模塊；另一方面，軟開(kāi)關(guān)主要是降低了開(kāi)關(guān)損耗，可使IG模塊工作頻率大大提高。隨著IG模塊耐壓的提高，IG的開(kāi)關(guān)頻率相應(yīng)下降，下面列出英飛凌IG模塊不同耐壓，不同系列工作頻率fk的參考值。
600V“DLC”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到30KHz
600V“KE3”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到30KHz
1200V“DN2”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到20KHz
1200V“KS4”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到40KHz
1200V“KE3”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到10KHz
1200V“KT3”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到15KHz
1700V“DN2”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到10KHz
1700V“DLC”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到5KHz
1700V“KE3”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到5KHz
3300V“KF2C”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到3KHz
6500V“KF1”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1KHz

infineon英飛凌IG模塊FP15R12KT3，可控硅IG

R7觸發(fā)時(shí)是VT1和VT2同時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通，斷開(kāi)后VT3和VT4同時(shí)導(dǎo)通，再斷開(kāi)后VT5和VT6同時(shí)導(dǎo)通。循環(huán)模擬正弦波輸出。
R8的是ABC連起來(lái)做一相記做U，有另外2個(gè)ABC連接記做V和W共三相，U的VT1、VT3、VT5和W的VT4、VT6、VT2同時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通，斷開(kāi)后V的VT1、VT3、VT5和U的VT4、VT6、VT2同時(shí)導(dǎo)通，斷開(kāi)后V的VT4、VT6、VT2和W的VT1、VT3、VT5同時(shí)導(dǎo)通。循環(huán)形成模擬正弦波輸出。

IG非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
什么是IG？它的作用是什么？
IG(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

英飛凌IG模塊，infineon英飛凌IG模塊FP15R12KT3