IG模塊和普通IG的區(qū)別
一樣型號 IG模塊和普通IG的區(qū)別，主要不同在哪里，里面的芯片大小一樣嗎，模塊的發(fā)果上面標150A能達到150A嗎？
IG模塊是幾個單元的IG綜合在一起，比如3單元的，就等于三個單管IG，這樣的好處可以節(jié)約空間。一般在10KW以上的設備基本都是用模塊才可以，而低功率的用單管IG，成本低很多。

IG在高頻下工作時，其總損耗與開關頻率的關系比較大，因此若希望IG工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IG模塊；另一方面，軟開關主要是降低了開關損耗，可使IG模塊工作頻率大大提高。隨著IG模塊耐壓的提高，IG的開關頻率相應下降，下面列出英飛凌IG模塊不同耐壓，不同系列工作頻率fk的參考值。
600V“DLC”開關頻率可達到30KHz
600V“KE3”開關頻率可達到30KHz
1200V“DN2”開關頻率可達到20KHz
1200V“KS4”開關頻率可達到40KHz
1200V“KE3”開關頻率可達到10KHz
1200V“KT3”開關頻率可達到15KHz
1700V“DN2”開關頻率可達到10KHz
1700V“DLC”開關頻率可達到5KHz
1700V“KE3”開關頻率可達到5KHz
3300V“KF2C”開關頻率可達到3KHz
6500V“KF1”開關頻率可達到1KHz

infineon英飛凌IG模塊FP15R12KT3，可控硅IG

R7觸發(fā)時是VT1和VT2同時觸發(fā)導通，斷開后VT3和VT4同時導通，再斷開后VT5和VT6同時導通。循環(huán)模擬正弦波輸出。
R8的是ABC連起來做一相記做U，有另外2個ABC連接記做V和W共三相，U的VT1、VT3、VT5和W的VT4、VT6、VT2同時觸發(fā)導通，斷開后V的VT1、VT3、VT5和U的VT4、VT6、VT2同時導通，斷開后V的VT4、VT6、VT2和W的VT1、VT3、VT5同時導通。循環(huán)形成模擬正弦波輸出。

IG非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
什么是IG？它的作用是什么？
IG(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

英飛凌IG模塊，infineon英飛凌IG模塊FP15R12KT3