IG在高頻下工作時(shí)，其總損耗與開關(guān)頻率的關(guān)系比較大，因此若希望IG工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IG模塊；另一方面，軟開關(guān)主要是降低了開關(guān)損耗，可使IG模塊工作頻率大大提高。隨著IG模塊耐壓的提高，IG的開關(guān)頻率相應(yīng)下降，下面列出英飛凌IG模塊不同耐壓，不同系列工作頻率fk的參考值。
600V“DLC”開關(guān)頻率可達(dá)到30KHz
600V“KE3”開關(guān)頻率可達(dá)到30KHz
1200V“DN2”開關(guān)頻率可達(dá)到20KHz
1200V“KS4”開關(guān)頻率可達(dá)到40KHz
1200V“KE3”開關(guān)頻率可達(dá)到10KHz
1200V“KT3”開關(guān)頻率可達(dá)到15KHz
1700V“DN2”開關(guān)頻率可達(dá)到10KHz
1700V“DLC”開關(guān)頻率可達(dá)到5KHz
1700V“KE3”開關(guān)頻率可達(dá)到5KHz
3300V“KF2C”開關(guān)頻率可達(dá)到3KHz
6500V“KF1”開關(guān)頻率可達(dá)到1KHz

ABBIG型號(hào)遵循和變頻器型號(hào)一樣的規(guī)則。
71C是用到電壓等級(jí)為380V和500V的ACS800機(jī)器里的。
76C則是用到電壓等級(jí)為690V的機(jī)器里。
IG模塊是由IG（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IG模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
R7的逆變是一塊大IG（三塊連在一體的小IG）焊接在一塊AGDR上。R8的逆變是3快R7的IG各成一相。
R7的通過AINT過來的3根扁平電纜控制一塊AGDR觸發(fā)三塊小IG，每一根線來控制觸發(fā)一塊小IG，每一快小IG做一相輸出。
R8是AINT過來3根扁平電纜控制3快AGDR，每一塊大的IG各成一相輸出。

infineon英飛凌IG模塊BSM400GA120DN2，可控硅IG

紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為zui大，這時(shí)可判定IG模塊門極正常。如果有數(shù)字顯示，則門極性能變差，此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測(cè)試結(jié)果為零時(shí)，說明所檢測(cè)的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。

IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚。

英飛凌IG模塊，infineon英飛凌IG模塊BSM400GA120DN2