IG的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關(guān)損耗組成，不同的開關(guān)頻率，開關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IG通態(tài)損耗的飽和壓降VCE（sat）和決定IG開關(guān)損耗的開關(guān)時(shí)間（ton，toff）又是一對(duì)矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開關(guān)頻率來選擇不同特征的IG。
在低頻如fk《10KHz時(shí)，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IG系列。對(duì)于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IG；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關(guān)損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢(shì)?！癒T3”由于開關(guān)速度更快，對(duì)吸收與布線要求更高。

SM系列是原西門子IG模塊的命名系統(tǒng)。西門子IG模塊歸入EUPEC后，EUPEC標(biāo)準(zhǔn)系列IG模塊仍沿用西門子型號(hào)編制系統(tǒng)。但EUPEC原側(cè)重生產(chǎn)大功率或高壓IG模塊，即EUPEC IHM&IHV系列IG模塊有其自身的命名系統(tǒng),EUPEC以FF、FZ、FS、FP來命名。凡是EUPEC成為Infineon（英飛凌）100％子公司后，所有IG模塊均按EUPEC IG命名系統(tǒng)來命名。

infineon英飛凌IG模塊BSM300GA120DLC，可控硅IG

ACS550-01
0.75kW to 110kW
ABB 標(biāo)準(zhǔn)傳動(dòng)可以簡單的購買、安裝、配置和使用，可節(jié)省相當(dāng)多的時(shí)間；這種傳動(dòng)具有帶現(xiàn)場(chǎng)總線的公共的用戶和過程接口；公共的軟件工具用于選型、調(diào)試和維護(hù)；公共的備件。

IG（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IG綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

英飛凌IG模塊，infineon英飛凌IG模塊BSM300GA120DLC