概述；

infineon英飛凌IG模塊FF200R33KF2C，可控硅模塊

若在IG的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IG的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IG與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。

SM系列是原西門(mén)子IG模塊的命名系統(tǒng)。西門(mén)子IG模塊歸入EUPEC后，EUPEC標(biāo)準(zhǔn)系列IG模塊仍沿用西門(mén)子型號(hào)編制系統(tǒng)。但EUPEC原側(cè)重生產(chǎn)大功率或高壓IG模塊，即EUPEC IHM&IHV系列IG模塊有其自身的命名系統(tǒng),EUPEC以FF、FZ、FS、FP來(lái)命名。凡是EUPEC成為Infineon（英飛凌）100％子公司后，所有IG模塊均按EUPEC IG命名系統(tǒng)來(lái)命名。

IG的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開(kāi)關(guān)損耗組成，不同的開(kāi)關(guān)頻率，開(kāi)關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IG通態(tài)損耗的飽和壓降VCE（sat）和決定IG開(kāi)關(guān)損耗的開(kāi)關(guān)時(shí)間（ton，toff）又是一對(duì)矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)選擇不同特征的IG。
在低頻如fk《10KHz時(shí)，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IG系列。對(duì)于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IG；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開(kāi)關(guān)損耗降低20％左右，因而“KT3”將更有優(yōu)勢(shì)?！癒T3”由于開(kāi)關(guān)速度更快，對(duì)吸收與布線(xiàn)要求更高。

英飛凌可控硅，infineon英飛凌IG模塊FF200R33KF2C

常見(jiàn)問(wèn)題：

問(wèn)題1。貴公司的優(yōu)勢(shì)是什么？

A1。我公司擁有專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)和專(zhuān)業(yè)的生產(chǎn)線(xiàn)。

問(wèn)題2。我為什么要選擇你們的產(chǎn)品？

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