但是目前的風(fēng)電變流器都是690V的，IG的耐壓也就足夠了。 IG和IGCT，誰(shuí)是電力電子器件的發(fā)展方向？
目前學(xué)術(shù)界正在爭(zhēng)論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對(duì)IG有什么優(yōu)勢(shì)。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對(duì)應(yīng)的是IEGT, IEGT也稱(chēng)為壓裝式IG （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IG系列電力電子器件，通過(guò)采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。

infineon英飛凌IG模塊FP40R12KT3，可控硅模塊

如何查看ABB變頻器ISU模塊內(nèi)IG哪項(xiàng)有故障？
除非IG有明顯的變化，比方說(shuō)燒黑了之類(lèi)的，否則，單憑肉眼，是無(wú)法看出IG是否OK的話(huà)。要想做出準(zhǔn)確的判斷的話(huà)，需要將IG拆下來(lái)，并用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量。

對(duì)于一個(gè)具體的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，在選擇英飛凌IG模塊時(shí)需考慮其在任何靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、過(guò)載（如短路）的運(yùn)行情況下：
（i）： 器件耐壓;
（ii）： 在實(shí)際的冷卻條件下，電流的承受力;
（iii）：的開(kāi)關(guān)頻率;
（iv）：安全工作區(qū)（SOA）限制;
（v）： 運(yùn)行溫度限制。
一、器件耐壓的選擇
因?yàn)榇蠖鄶?shù)IG模塊工作在交流電網(wǎng)通過(guò)單相或三相整流后的直流母線(xiàn)電壓下，所以通常IG模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)。考慮到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IG 器件耐壓都是直流母線(xiàn)電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線(xiàn)、吸收等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IG模塊承受較高的直流母線(xiàn)電壓。

1. 一般保存IG模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕;
2. 盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合;
3. 在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IG模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IG模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;
4. 保管時(shí)，須注意不要在IG模塊上堆放重物;
5. 裝IG模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。
6. 檢測(cè)IG模塊的的辦法。

英飛凌可控硅，infineon英飛凌IG模塊FP40R12KT3

常見(jiàn)問(wèn)題：

問(wèn)題1。貴公司的優(yōu)勢(shì)是什么？

A1。我公司擁有專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)和專(zhuān)業(yè)的生產(chǎn)線(xiàn)。

問(wèn)題2。我為什么要選擇你們的產(chǎn)品？

A2。我們的產(chǎn)品質(zhì)優(yōu)價(jià)廉。

問(wèn)題3。你們公司還能提供其他什么好的服務(wù)嗎？

A3。是的，我們可以提供良好的售后服務(wù)和快速交貨。