西門康SEMiX402GB066HDsIGBT模塊報價 上海菲茲
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商品介紹
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系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號 new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏電流范圍內(nèi), Id 與Ugs呈線性關(guān)系。柵源電壓受漏電流限制,其值一般取為15V左右。
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