但是目前的風(fēng)電變流器都是690V的，IG的耐壓也就足夠了。 IG和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？
目前學(xué)術(shù)界正在爭論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對IG有什么優(yōu)勢。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對應(yīng)的是IEGT, IEGT也稱為壓裝式IG （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IG系列電力電子器件，通過采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。

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R7觸發(fā)時(shí)是VT1和VT2同時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通，斷開后VT3和VT4同時(shí)導(dǎo)通，再斷開后VT5和VT6同時(shí)導(dǎo)通。循環(huán)模擬正弦波輸出。
R8的是ABC連起來做一相記做U，有另外2個(gè)ABC連接記做V和W共三相，U的VT1、VT3、VT5和W的VT4、VT6、VT2同時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通，斷開后V的VT1、VT3、VT5和U的VT4、VT6、VT2同時(shí)導(dǎo)通，斷開后V的VT4、VT6、VT2和W的VT1、VT3、VT5同時(shí)導(dǎo)通。循環(huán)形成模擬正弦波輸出。

英飛凌IG模塊，infineon英飛凌可控硅DSM75GB60DLC

IG模塊損壞的原因有哪些？
一、死區(qū)變窄 死區(qū)的寬窄主要取決于IG管的關(guān)斷時(shí)間。影響判斷時(shí)間的主要因素有：
1、環(huán)境溫度。環(huán)境溫度高，將延長IG管的判斷時(shí)間，使同一橋臂的上、下兩管在交替導(dǎo)通過程中的死區(qū)變窄，甚至導(dǎo)致直通。這就是在夏天，模塊燒壞的故障率偏高的原因。
2、變頻器的輸出電流過大。 變頻器的輸出電流大，也會延長IG管的關(guān)斷時(shí)間，導(dǎo)致直通。

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如何查看ABB變頻器ISU模塊內(nèi)IG哪項(xiàng)有故障？
除非IG有明顯的變化，比方說燒黑了之類的，否則，單憑肉眼，是無法看出IG是否OK的話。要想做出準(zhǔn)確的判斷的話，需要將IG拆下來，并用萬用表進(jìn)行測量。

常見問題：

問題1。貴公司的優(yōu)勢是什么？

A1。我公司擁有專業(yè)的團(tuán)隊(duì)和專業(yè)的生產(chǎn)線。

問題2。我為什么要選擇你們的產(chǎn)品？

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問題3。你們公司還能提供其他什么好的服務(wù)嗎？

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