STW56N60DM2品牌ST封裝TO-247批號23+ MOSFET
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STW56N60DM2品牌ST封裝TO-247批號23+-MOSFET

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品牌 ST
封裝 TO-247
批號 21+
型號 STW56N60DM2
數(shù)量 65200
產(chǎn)品種類 MOSFET
技術(shù) Si
安裝風格 Through Hole
晶體管極性 N-Channel
通道數(shù)量 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓 600 V
Id-連續(xù)漏極電流 50 A
Rds On-漏源導通電阻 60 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓 - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓 3 V
Qg-柵極電荷 90 nC
最小工作溫度 - 55 C
最大工作溫度 + 150 C
商品介紹
STW56N60DM2品牌ST封裝TO-247批號23+ MOSFETSTW56N60DM2品牌ST封裝TO-247批號23+ MOSFET
STW56N60DM2品牌ST封裝TO-247批號23+ MOSFET產(chǎn)品屬性
STMicroelectronics
MOSFET
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
60 mOhms
- 25 V, + 25 V
3 V
90 nC
- 55 C
+ 150 C
360 W
Enhancement
MDmesh
Tube
配置:Single
系列:STW56N60DM2
商標:STMicroelectronics
下降時間:12 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:60 ns
工廠包裝數(shù)量:600
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:130 ns
典型接通延遲時間:24 ns
單位重量:6 g
STW56N60DM2品牌ST封裝TO-247批號23+ MOSFET產(chǎn)品圖片

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公司名稱 瀚佳科技（深圳）有限公司
聯(lián)系賣家 李生 （QQ：2480898381）
電話 莵莽莻莻-莹莾莸获莵莽莸莼
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傳真 莵莽莻莻-莹莾莸获莵莽莸莶
地址 廣東省深圳市
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