斯達(dá)IGBT模塊報(bào)價(jià) 庫(kù)存充足一站式采購(gòu)
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聯(lián)系人 張嵐颯

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發(fā)貨地 上海市
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商品介紹
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聯(lián)系方式
系列 IGBT系列
封裝 標(biāo)準(zhǔn)封裝
批號(hào) new
可控硅類型 硅（si）
種類 化合物半導(dǎo)體
商品介紹
IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET，但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵和發(fā)射并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵電壓的增加而降低。
斯達(dá)IGBT模塊報(bào)價(jià)
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菲茲電子愿為廣大客戶提供優(yōu)良的產(chǎn)品、滿意的服務(wù)。
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聯(lián)系方式
公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 張嵐颯 （QQ：1539653456）
電話 ῧῨῡ-῟ῡῧῧῦῡῨ῟
手機(jī) ῡῢῠῡῠῠῠῧῠῥῤ
傳真 ῧῨῡ-ῤῡῠῢῤῠῤῥ
地址 上海市