IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時(shí)，IGBT 處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏電流范圍內(nèi)， Id 與Ugs呈線性關(guān)系。柵源電壓受漏電流限制，其值一般取為15V左右。



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