北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營：光刻膠

全球市場

目前，光刻膠單一產(chǎn)品市場規(guī)模與海外巨頭公司營收規(guī)模相比較小，光刻膠僅為大型材料廠商的子業(yè)務(wù)。但由于光刻膠技術(shù)門檻高，就某一光刻膠子行業(yè)而言，僅有少數(shù)幾家供應(yīng)商有產(chǎn)品供應(yīng)。

由于光刻膠產(chǎn)品技術(shù)要求較高，中國光刻膠市場基本由外資企業(yè)占據(jù)，國內(nèi)企業(yè)市場份額不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻膠，其核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品也基本出自日本和美國公司，包括陶氏化學(xué)、JSR株式會社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國東進等企業(yè)。

而細(xì)化到半導(dǎo)體用光刻膠市場，國內(nèi)企業(yè)份額不足30%，與國際水平存在較大差距。超過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中，國內(nèi)公司中，蘇州瑞紅與北京科華實現(xiàn)了部分品種的國產(chǎn)化，但是整體技術(shù)水平較低，僅能進入8英寸集成電路生產(chǎn)線與LED等產(chǎn)線。

光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

光刻膠京東方

事實上，我國是在缺乏經(jīng)驗、缺乏專業(yè)技術(shù)人才，缺失關(guān)鍵上游原材料的條件下，全靠自己摸索。近年來，盡管光刻膠研發(fā)有了一定突破，但國產(chǎn)光刻膠還是用不起來。目前，國外阻抗已達(dá)到15次方以上，而國內(nèi)企業(yè)只能做到10次方，滿足不了客戶工藝要求和產(chǎn)品升級的要求，有的工藝雖達(dá)標(biāo)了，但批次穩(wěn)定性不好。

“10次方的光刻膠經(jīng)過多次烘烤，由于達(dá)不到客戶需求的防靜電作用，不能應(yīng)用到新一代窄邊框等面板上。而國外做到15次方就有了很好的防靜電作用。這還是我們的光刻膠材料、配方、生產(chǎn)工藝方面存在問題。”李中強說。

關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)不到要求，國內(nèi)企業(yè)始終受制于人。就拿在國際上具有一定競爭實力的京東方來說，目前已建立17個面板顯示生產(chǎn)基地，其中，有16個已經(jīng)投產(chǎn)。但京東方用于面板的光刻膠，仍然由國外企業(yè)提供。