系列 IGBT系列
封裝 標準封裝
批號 new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導體
商品介紹
動態(tài)特性又稱開關(guān)特性,IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分:一是開關(guān)速度,主要指標是開關(guān)過程中各部分時間;另一個是開關(guān)過程中的損耗。
IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導通態(tài)時,由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu),但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時,通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻
![功率模塊IGBT模塊價格,絕緣柵雙極型晶體管](https://img.zhaosw.com/upload/images/160/512/1d97c5e8-f374-4ac9-8840-6ad3687fe1d7.jpg)
IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進行電導調(diào)制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。
![功率模塊IGBT模塊價格,絕緣柵雙極型晶體管](https://img.zhaosw.com/upload/images/789/412/95f7ffce-5fcc-40d7-8942-91373d3c0e6c.jpg)
IGBT的開關(guān)速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。IGBT在關(guān)斷時不需要負柵壓來減少關(guān)斷時間,但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。
![功率模塊IGBT模塊價格,絕緣柵雙極型晶體管](https://img.zhaosw.com/upload/images/950/512/9d798215-a56e-497c-a1f3-4b1972ec67c9.jpg)
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動,各種驅(qū)動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調(diào)速外,600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,大大降低電路接線電感,提高系統(tǒng)效率,現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM,其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點。
聯(lián)系方式