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江蘇廣分檢測技術(shù)有限公司
主營產(chǎn)品: 環(huán)境檢測
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溫州五金件晶間腐蝕-試驗檢測單位-產(chǎn)品耐鹽霧分析報告
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聯(lián)系人 周建輝
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商品介紹
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用途范圍 工廠醫(yī)院/車庫/商場/賓館/寫字樓等
功能 防靜電/耐磨/防污/防腐等
抗壓強度 高
工作 不銹鋼等
寬 2440
是否進口 否
商品介紹
鹽霧腐蝕試驗箱試驗樣品可以放置在試驗箱箱內(nèi)不同水平面上,但不得接觸箱體,更不能相互接觸。試驗樣品之間的距離應(yīng)不影響鹽霧自由降落在測試面上,試驗樣品上聚集的鹽霧液滴不得滴落到其它試驗樣品上。
鹽霧腐蝕試驗箱試樣支架采用玻璃、塑料等耐鹽霧、酸堿腐蝕的材質(zhì)材料制作,試樣如需懸掛在支架上,懸掛試樣的材料不能用金屬材質(zhì),一般使用棉纖維、人造纖維或其它絕緣材料等非金屬材料。
晶間腐蝕,局部腐蝕的一種。沿著金屬晶粒間的分界面向內(nèi)部擴展的腐蝕。晶間腐蝕是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài)。晶間腐蝕從金屬材料表面開始,沿著晶界向內(nèi)部發(fā)展,使晶粒間的結(jié)合力喪失,以致材料的強度幾乎完全消失。例如,飽受晶間腐蝕的不銹鋼材料,外表雖然還十分光亮,但輕輕敲擊可能碎成細粉。 在特定介質(zhì)條件下檢驗金屬材料晶間腐蝕敏感性的加速金屬腐蝕試驗方法,目的是了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理。其原理是采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗溶液,利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。不銹鋼、鋁合金等的晶間腐蝕試驗方法在許多國家均已標準化。各標準對試驗細節(jié)均有詳細規(guī)定。
晶間腐蝕實驗
實驗概要:
不銹鋼在腐蝕介質(zhì)作用下,在晶粒之間產(chǎn)生的一種腐蝕現(xiàn)象稱為晶間腐蝕。
產(chǎn)生晶間腐蝕的不銹鋼,當(dāng)受到應(yīng)力作用時,即會沿晶界斷裂、強度幾乎完全消失,這是不銹鋼的一種危險的破壞形式。晶間腐蝕可以分別產(chǎn)生在焊接接頭的熱影響區(qū)(HAZ)、焊縫或熔合線上,在熔合線上產(chǎn)生的晶間腐蝕又稱刀線腐蝕(KLA)。晶間腐蝕不銹鋼具有耐腐蝕能力的必要條件是鉻的質(zhì)量分數(shù)必須大于10~12%。當(dāng)溫度升高時,碳在不銹鋼晶粒內(nèi)部的擴散速度大于鉻的擴散速度。因為室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小,約為0.02%~0.03%,而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值,故多余的碳就不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散,并和鉻化合,在晶間形成碳化鉻的化合物,如(CrFe)23C6等。數(shù)據(jù)表明,鉻沿晶界擴散的活化能力162~252KJ/mol,而鉻由晶粒內(nèi)擴散活化能約540KJ/mol,即:鉻由晶粒內(nèi)擴散速度比鉻沿晶界擴散速度小,內(nèi)部的鉻來不及向晶界擴散,所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要不是來自奧氏體晶粒內(nèi)部,而是來自晶界附近,結(jié)果就使晶界附近的含鉻量大為減少,當(dāng)晶界的鉻的質(zhì)量分數(shù)低到小于12%時,就形成所謂的"貧鉻區(qū)",在腐蝕介質(zhì)作用下,貧鉻區(qū)就會失去耐腐蝕能力,而產(chǎn)生晶間腐蝕
不銹鋼常見腐蝕之晶間腐蝕
不銹鋼就是不容易生銹的鋼鐵,不銹鋼中的主要合金元素是Cr(鉻),只有當(dāng)Cr含量達到一定值時,鋼材有耐蝕性,不銹鋼一般Cr含量至少為10.5%。
不銹鋼的耐蝕機理為鈍化膜理論,即其表面形成一層極薄而堅固細密的穩(wěn)定的富Cr鈍化膜,防止氧原子繼續(xù)滲入、繼續(xù)氧化,從而達到防銹蝕的能力。
不銹鋼表面鈍化膜形成圖解
人們認為“不銹鋼是不生銹的,生銹的就不是不銹鋼了”。其實這是對不銹鋼缺乏了解的一種片面錯誤看法,不銹鋼在一定的條件下也會生銹的。如果我們能夠直觀的了解不銹鋼的各種腐蝕類型,面對不銹鋼腐蝕時可以有相應(yīng)的應(yīng)對措施來減少損失。下面結(jié)合工程實際講述幾種不銹鋼常見的腐蝕類型,簡要介紹相應(yīng)的抗腐蝕措施,并重點介紹不銹鋼應(yīng)力腐蝕原因及防治措施。
不銹鋼發(fā)生的腐蝕破壞多是局部腐蝕破壞,常見的有晶間腐蝕(9%)、點蝕(23%)和應(yīng)力腐蝕(49%)。
不僅是不銹鋼板,很多其他金屬均存在晶間腐蝕的傾向。但不銹鋼材料、含鉬鎳基合金和鋁合金等晶間腐蝕現(xiàn)象比較突出。假如存在應(yīng)力,就會由晶間腐蝕轉(zhuǎn)變成沿晶間應(yīng)力腐蝕破壞。從貧化理論角度出發(fā),晶間腐蝕是因為晶界析出新相,導(dǎo)致晶界附近某種成分出現(xiàn)缺乏。例如奧氏體不銹鋼在回火過程中過飽和碳部分或完全以Cr23C6形式在析出于晶界,會快速減少碳化物附近的碳和鉻濃度,使得晶界上產(chǎn)生貧鉻區(qū),而貧鉻區(qū)作為陽極會受到腐蝕。
對低碳與碳不銹鋼來講,是沒有碳化物在晶界析出導(dǎo)致貧鉻的條件。不過有實踐表明,低碳與碳不銹鋼,尤其是高鉻高鉬不銹鋼,在650-850℃受熱時,在強氧化介質(zhì)中,或其電位在過鈍化區(qū)時,也會產(chǎn)生晶間腐蝕。鐵素體不銹鋼在900℃之上時高溫區(qū)快冷容易發(fā)生晶間腐蝕。就算是碳氮含量極低的超純鐵素體不銹鋼也會出現(xiàn)晶間腐蝕。不過在700-800℃情況下重新加熱就能夠去除晶間腐蝕。
陽極保護:在有些情況需要對金屬進行陽極保護,比如不銹鋼管道等。在點蝕電位以上,點蝕發(fā)生、發(fā)展,原有點蝕繼續(xù)發(fā)展;在點蝕電位與保護電位之間,不產(chǎn)生新的點蝕,原有點蝕繼續(xù)發(fā)展;保護電位以下,已有點蝕不發(fā)展。因此,對于沒有過發(fā)生點蝕的金屬,施加在點蝕電位以下的陽極電位;對于已經(jīng)發(fā)生點蝕的金屬,需施加在保護電位以下的陽極電位。
鹽霧腐蝕試驗箱試樣支架采用玻璃、塑料等耐鹽霧、酸堿腐蝕的材質(zhì)材料制作,試樣如需懸掛在支架上,懸掛試樣的材料不能用金屬材質(zhì),一般使用棉纖維、人造纖維或其它絕緣材料等非金屬材料。
晶間腐蝕,局部腐蝕的一種。沿著金屬晶粒間的分界面向內(nèi)部擴展的腐蝕。晶間腐蝕是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài)。晶間腐蝕從金屬材料表面開始,沿著晶界向內(nèi)部發(fā)展,使晶粒間的結(jié)合力喪失,以致材料的強度幾乎完全消失。例如,飽受晶間腐蝕的不銹鋼材料,外表雖然還十分光亮,但輕輕敲擊可能碎成細粉。 在特定介質(zhì)條件下檢驗金屬材料晶間腐蝕敏感性的加速金屬腐蝕試驗方法,目的是了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理。其原理是采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗溶液,利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。不銹鋼、鋁合金等的晶間腐蝕試驗方法在許多國家均已標準化。各標準對試驗細節(jié)均有詳細規(guī)定。
晶間腐蝕實驗
實驗概要:
不銹鋼在腐蝕介質(zhì)作用下,在晶粒之間產(chǎn)生的一種腐蝕現(xiàn)象稱為晶間腐蝕。
產(chǎn)生晶間腐蝕的不銹鋼,當(dāng)受到應(yīng)力作用時,即會沿晶界斷裂、強度幾乎完全消失,這是不銹鋼的一種危險的破壞形式。晶間腐蝕可以分別產(chǎn)生在焊接接頭的熱影響區(qū)(HAZ)、焊縫或熔合線上,在熔合線上產(chǎn)生的晶間腐蝕又稱刀線腐蝕(KLA)。晶間腐蝕不銹鋼具有耐腐蝕能力的必要條件是鉻的質(zhì)量分數(shù)必須大于10~12%。當(dāng)溫度升高時,碳在不銹鋼晶粒內(nèi)部的擴散速度大于鉻的擴散速度。因為室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小,約為0.02%~0.03%,而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值,故多余的碳就不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散,并和鉻化合,在晶間形成碳化鉻的化合物,如(CrFe)23C6等。數(shù)據(jù)表明,鉻沿晶界擴散的活化能力162~252KJ/mol,而鉻由晶粒內(nèi)擴散活化能約540KJ/mol,即:鉻由晶粒內(nèi)擴散速度比鉻沿晶界擴散速度小,內(nèi)部的鉻來不及向晶界擴散,所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要不是來自奧氏體晶粒內(nèi)部,而是來自晶界附近,結(jié)果就使晶界附近的含鉻量大為減少,當(dāng)晶界的鉻的質(zhì)量分數(shù)低到小于12%時,就形成所謂的"貧鉻區(qū)",在腐蝕介質(zhì)作用下,貧鉻區(qū)就會失去耐腐蝕能力,而產(chǎn)生晶間腐蝕
不銹鋼常見腐蝕之晶間腐蝕
不銹鋼就是不容易生銹的鋼鐵,不銹鋼中的主要合金元素是Cr(鉻),只有當(dāng)Cr含量達到一定值時,鋼材有耐蝕性,不銹鋼一般Cr含量至少為10.5%。
不銹鋼的耐蝕機理為鈍化膜理論,即其表面形成一層極薄而堅固細密的穩(wěn)定的富Cr鈍化膜,防止氧原子繼續(xù)滲入、繼續(xù)氧化,從而達到防銹蝕的能力。
不銹鋼表面鈍化膜形成圖解
人們認為“不銹鋼是不生銹的,生銹的就不是不銹鋼了”。其實這是對不銹鋼缺乏了解的一種片面錯誤看法,不銹鋼在一定的條件下也會生銹的。如果我們能夠直觀的了解不銹鋼的各種腐蝕類型,面對不銹鋼腐蝕時可以有相應(yīng)的應(yīng)對措施來減少損失。下面結(jié)合工程實際講述幾種不銹鋼常見的腐蝕類型,簡要介紹相應(yīng)的抗腐蝕措施,并重點介紹不銹鋼應(yīng)力腐蝕原因及防治措施。
不銹鋼發(fā)生的腐蝕破壞多是局部腐蝕破壞,常見的有晶間腐蝕(9%)、點蝕(23%)和應(yīng)力腐蝕(49%)。
不僅是不銹鋼板,很多其他金屬均存在晶間腐蝕的傾向。但不銹鋼材料、含鉬鎳基合金和鋁合金等晶間腐蝕現(xiàn)象比較突出。假如存在應(yīng)力,就會由晶間腐蝕轉(zhuǎn)變成沿晶間應(yīng)力腐蝕破壞。從貧化理論角度出發(fā),晶間腐蝕是因為晶界析出新相,導(dǎo)致晶界附近某種成分出現(xiàn)缺乏。例如奧氏體不銹鋼在回火過程中過飽和碳部分或完全以Cr23C6形式在析出于晶界,會快速減少碳化物附近的碳和鉻濃度,使得晶界上產(chǎn)生貧鉻區(qū),而貧鉻區(qū)作為陽極會受到腐蝕。
對低碳與碳不銹鋼來講,是沒有碳化物在晶界析出導(dǎo)致貧鉻的條件。不過有實踐表明,低碳與碳不銹鋼,尤其是高鉻高鉬不銹鋼,在650-850℃受熱時,在強氧化介質(zhì)中,或其電位在過鈍化區(qū)時,也會產(chǎn)生晶間腐蝕。鐵素體不銹鋼在900℃之上時高溫區(qū)快冷容易發(fā)生晶間腐蝕。就算是碳氮含量極低的超純鐵素體不銹鋼也會出現(xiàn)晶間腐蝕。不過在700-800℃情況下重新加熱就能夠去除晶間腐蝕。
陽極保護:在有些情況需要對金屬進行陽極保護,比如不銹鋼管道等。在點蝕電位以上,點蝕發(fā)生、發(fā)展,原有點蝕繼續(xù)發(fā)展;在點蝕電位與保護電位之間,不產(chǎn)生新的點蝕,原有點蝕繼續(xù)發(fā)展;保護電位以下,已有點蝕不發(fā)展。因此,對于沒有過發(fā)生點蝕的金屬,施加在點蝕電位以下的陽極電位;對于已經(jīng)發(fā)生點蝕的金屬,需施加在保護電位以下的陽極電位。
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