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什么是溫度傳感器IC？

溫度傳感器檢測某個物體的溫度或者其所在環(huán)境的溫度，并將讀數(shù)轉換為電信號。常見的溫度傳感器類型有熱電偶、電阻溫度檢測器(RTD)、熱敏電阻、本地溫度傳感器、遠端熱二極管溫度傳感器IC。熱電偶、RTD和熱敏電阻等檢測元件的電學屬性隨溫度的變化具有非常強的可預測性。本地溫度傳感器IC利用管芯上晶體管的物理特性作為檢測元件。臨床級溫度傳感器必須滿足ASTM E1112標準關于臨床測溫儀技術規(guī)范的精度要求。遠端溫度二極管溫度傳感器采用外部連接成PN結的晶體管作為檢測元件，包括使用一個或多個外部晶體管測量溫度所需的全部信號調理電路。

Maxim廣泛的硅溫度傳感器IC支持醫(yī)學、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心及移動等各種應用。除溫度傳感器之外，Maxim也提供風扇控制器和溫度監(jiān)控器IC。Maxim的風扇控制器IC監(jiān)測和控制系統(tǒng)制冷應用中的風扇轉速。Maxim的溫度監(jiān)控器IC測量溫度并提供功率開關輸出，適用于基于溫度的監(jiān)測和控制應用。其他業(yè)界的特性包括：溫度傳感器的精度高達±0.5℃風扇控制器帶有溫度檢測、電壓監(jiān)測和GPIO遠端溫度傳感器多達7路通道臨床級溫度傳感器精度達到±0.1°C

TMR/超導復合式磁傳感器

1995 年，由美國麻省理工學院和日本東北大學的兩個研究小組獨立發(fā)現(xiàn)，將兩個磁性電極層之間用極薄的絕緣層分開會產(chǎn)生很大的磁電阻效應(室溫下達到11%)。這種由磁性層/絕緣層/磁性層構成的結構，稱為磁性隧道結(MTJ)。在MTJ 中，中間的絕緣層很薄(幾個納米)，使得可以有大量電子隧穿通過。通過隧道結的電流依賴于兩個磁性層的磁化強度矢量的相對取向。這種隧穿電流隨外磁場變化的效應被稱為隧道磁電阻(TMR)效應。隧道磁電阻效應可以由Julliere 雙電流模型解釋。假定電子在隧穿過程中自旋不發(fā)生翻轉，并且隧穿電流正比于費米面附近電子的態(tài)密度。當MTJ兩側鐵磁層處于平行排列時，左側的少子電子向右側的少子空態(tài)隧穿，左側的多子電子向右側的多子空態(tài)隧穿，MTJ 處于低阻態(tài)；當MTJ兩側鐵磁層處于反平行排列時，左側的少子電子向右側的多子空態(tài)隧穿，而左側的多子電子向右側的少子空態(tài)隧穿，MTJ 呈現(xiàn)高阻態(tài)。

由于貼合TMR器件與超導磁放大器的低溫膠過厚導致TMR—超導磁放大器間距過大(50 μm)，使得TMR/超導復合式磁傳感器的靈敏度、探測精度較GMR/超導復合式磁傳感器、SQUID 等器件仍有明顯差距。理論計算表明，減小TMR—超導磁放大器間距將使得磁場放大倍數(shù)呈指數(shù)形式上升；若能將TMR—超導磁放大器間距降低至0.5 μm以內，磁場放大倍數(shù)可接近1000 倍。今后可通過熱壓印等技術減小TMR—超導磁放大器間距，從而提高器件的靈敏度。

對IGBT驅動電路有什么要求

IGBT對驅動電路的要求：

(1)提供適當?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關斷。當正偏壓增大時IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負載短路時其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負偏電壓可防止由于關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開關時間應綜合考慮?？焖匍_通和關斷有利于提高工作頻率,減小開關損耗。但在大電感負載下,IGBT的開頻率不宜過大,因為高速開斷和關斷會產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開通后,驅動電路應提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關時間和開關損耗;RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅動電路的結構及IGBT的容量有關,一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅動電路應具有較強的抗干擾能力及對IG2BT的保護功能。IGBT的控制、 驅動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配,另外,在未采取適當?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。