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等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)在溫度相對較低的真空條件下進行

如果要在半導(dǎo)體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：

利用低壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。

等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)在溫度相對較低的真空條件下進行。

氮化硅的晶胞參數(shù)與單質(zhì)硅不同。因此根據(jù)沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產(chǎn)生張力或應(yīng)力。特別是當(dāng)使用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)時，能通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)來減少張力。

先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產(chǎn)生的。

氮化硅原子數(shù)目比并不是嚴格的4:3

由于氮化硅與碳化硅、氧化鋁、二氧化釷、氮化硼等能形成很強的結(jié)合，所以可用作結(jié)合材料，以不同配比進行改性。

此外，氮化硅還能應(yīng)用到太陽能電池中。用PECVD法鍍氮化硅膜后，不但能作為減反射膜可減小入射光的反射，而且，在氮化硅薄膜的沉積過程中，反應(yīng)產(chǎn)物氫原子進入氮化硅薄膜以及硅片內(nèi)，起到了鈍化缺陷的作用。這里的氮化硅氮硅原子數(shù)目比并不是嚴格的4:3，而是根據(jù)工藝條件的不同而在一定范圍內(nèi)波動，不同的原子比例對應(yīng)的薄膜的物理性質(zhì)有所不同。

用于超高溫燃氣透平，飛機引擎，電爐等。

煉鋼用氮化硅鐵也可以按照特征分為，煉鋼用普通氮化硅鐵，煉鋼用高純氮化硅鐵。普通氮化硅鐵呈灰白色，穩(wěn)定氮化硅鐵呈茶褐色，耐火材料用氮化硅鐵表面潔凈，沒有明顯的外來雜物。氮化硅鐵因含有Si3N4相，而具有Si3N4的一些優(yōu)異性能，如高的耐火度，良好的抗侵蝕性，高的力學(xué)強度，良好的抗熱震性，較低的熱膨脹率，較高的性等一系列優(yōu)點。