深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng)：各類驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷售,
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開(kāi)關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開(kāi)啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

用什么直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片（一）

瑞泰威公司生產(chǎn)的ML4428無(wú)刷直流電機(jī)無(wú)傳感器PWM智能控制器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，它是無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)控制的簡(jiǎn)易方法，該控制器內(nèi)部的反電勢(shì)電路、起動(dòng)及換向邏輯電路、限流比較器和保護(hù)電路簡(jiǎn)化了無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)的控制，做到單獨(dú)控制的正反向運(yùn)行，起動(dòng)時(shí)無(wú)反轉(zhuǎn)，采用PWM控制或噪聲的線性控制，可獲得。

1 引言

無(wú)刷直流電機(jī)具有體積小、重量輕、維護(hù)方便、節(jié)能、易于控制等一系列優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。傳統(tǒng)的無(wú)刷直流電機(jī)大多以霍爾元件或其它位置檢測(cè)元件作位置傳感器，但位置傳感器維修困難，且霍爾元件的溫度特性不好，導(dǎo)致系統(tǒng)可靠性變差。因此，無(wú)位置傳感器無(wú)刷直流電機(jī)成為理想選擇，并具有廣闊的發(fā)展前景，但它的控制電路相當(dāng)復(fù)雜。ML4428控制芯片的出現(xiàn)，簡(jiǎn)化了控制電路的設(shè)計(jì)，該芯片內(nèi)部含有反電勢(shì)檢測(cè)電路、起動(dòng)換向邏輯電路和保護(hù)電路，使控制器芯片只需外接少量的阻容元件就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)直流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)的控制。

液晶顯示屏驅(qū)動(dòng)ic中什么叫偏置？

偏置(Bias)：這一較為非常容易了解，便是液晶顯示屏的扭曲工作電壓，也就是SEG和COM中間的工作電壓，事實(shí)上它是一個(gè)模擬型號(hào)規(guī)格的驅(qū)動(dòng)器波型，將會(huì)你見(jiàn)到的SEG和COM不一樣彎彎的扭一扭的，可是記牢液晶顯示屏驅(qū)動(dòng)器與波型不相關(guān)，它只與2個(gè)波型累加以后的凈工作電壓差相關(guān)，而偏置便是各檔模擬工作電壓中至少檔相對(duì)性于輸出的工作電壓重要的占比。