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MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進(jìn)步，如微處理器運(yùn)算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號(hào)處理上的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動(dòng)作時(shí)才有電流通過。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時(shí)間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導(dǎo)通的狀態(tài)下，另一種必定是截止?fàn)顟B(tài)，這使得從電源端到接地端不會(huì)有直接導(dǎo)通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流（DC）信號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動(dòng)。在CMOS邏輯電路里，除了負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)芯片外負(fù)載（off-chip load）的驅(qū)動(dòng)器（driver）外，每一級(jí)的邏輯門都只要面對(duì)同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動(dòng)力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢(shì)。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對(duì)于電路設(shè)計(jì)工程師而言亦有其他優(yōu)點(diǎn)，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負(fù)載效應(yīng)（loading effect）。

商品一體化也可能變成LED顯示器驅(qū)動(dòng)器IC的關(guān)鍵發(fā)展趨向,伴隨著LED顯示器清晰度間隔的快速降低,企業(yè)總面積上應(yīng)貼片的封裝元器件以幾何倍數(shù)提高,大大增加摸組驅(qū)動(dòng)器面的電子器件相對(duì)密度。

這般擁堵電子器件的排序,非常容易導(dǎo)致電焊焊接欠佳等難題,也減少了摸組的可信性。驅(qū)動(dòng)器IC越來越少的使用量,PCB更大的走線總面積,來源于運(yùn)用端要求讓驅(qū)動(dòng)器IC務(wù)必踏入了高集成化的關(guān)鍵技術(shù)。

?什么叫存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體材料電子器件中必不可少的構(gòu)成部分，基本上存有于全部的電子產(chǎn)品中。伴隨著互聯(lián)網(wǎng)大數(shù)據(jù)、云計(jì)算技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、人工智能技術(shù)等產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢(shì)，其在全部全產(chǎn)業(yè)鏈中飾演的人物角色愈來愈關(guān)鍵。

存儲(chǔ)器的類型許多，按主要用途可分主導(dǎo)存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器。

前面一種又被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器（運(yùn)行內(nèi)存），能夠 與CPU立即互換數(shù)據(jù)信息，速度更快、容積小、價(jià)錢高。

后面一種為外存儲(chǔ)器（外存），指除運(yùn)行內(nèi)存及緩存文件之外的存儲(chǔ)集成ic。該類存儲(chǔ)集成ic一般關(guān)閉電源后依然能儲(chǔ)存數(shù)據(jù)信息，速度比較慢、容積大、價(jià)格便宜。

依照關(guān)閉電源后數(shù)據(jù)信息是不是遺失，可分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。

易失性存儲(chǔ)器普遍的有DRAM和SRAM。

非易失性存儲(chǔ)器普遍的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。