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IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線(xiàn)。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開(kāi)關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線(xiàn)。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開(kāi)啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線(xiàn)性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

在無(wú)人駕駛行業(yè)，瑞泰威電子元器件經(jīng)銷(xiāo)商掌握到，以便考慮無(wú)人駕駛轎車(chē)的要求，每臺(tái)轎車(chē)少必須配置1TB尺寸的存儲(chǔ)芯片，才可以解決很多數(shù)據(jù)信息。一旦全部領(lǐng)域進(jìn)到無(wú)人駕駛時(shí)期，半導(dǎo)體材料銷(xiāo)售市場(chǎng)會(huì)比汽車(chē)企業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)更為猛烈，預(yù)估該行業(yè)將來(lái)也將出現(xiàn)大幅度提高。

轎車(chē)智能化系統(tǒng)發(fā)展趨勢(shì)下，所必須的主集成ic規(guī)定處理速度愈來(lái)愈高，數(shù)學(xué)計(jì)算愈來(lái)愈強(qiáng)，在作用持續(xù)拓展的狀況下，針對(duì)硬件軟件的可信性及其作用安全級(jí)別的規(guī)定也愈來(lái)愈高?，F(xiàn)階段，轎車(chē)儲(chǔ)存器設(shè)計(jì)方案遭遇四個(gè)層面的重要挑戰(zhàn)：儲(chǔ)存工作能力、功耗、可信性、和安全系數(shù)。

對(duì)比于NAND，eMMC在IPTV小盒子上運(yùn)用更為普遍：eMMC閃存芯片一體化解決方法，不用解決NAND閃存芯片的兼容模式和管理方法難題；eMMC髙速載入，能大幅度提高電視特性，非常是4k高清播放視頻特性，等同于電腦上的電腦硬盤(pán)載入速率更快，APP就能更快的被加載運(yùn)行內(nèi)存；

一般網(wǎng)絡(luò)的NAND閃存芯片一般僅有15MB/s上下的載入速率，而eMMC的讀寫(xiě)能力速率一般為50MB/s之上；應(yīng)用eMMC的電視，開(kāi)機(jī)速度更快、APP開(kāi)啟更快，擁有更暢順的實(shí)際操作感受。瑞泰威eMMC就會(huì)有對(duì)于網(wǎng)絡(luò)行業(yè)的具體運(yùn)用實(shí)例，讀寫(xiě)能力速度更快，使用期長(zhǎng)，相比于應(yīng)用NANDFlash的電視，特性更優(yōu)。