手機(jī)掃碼查看 移動(dòng)端的落地頁(yè)
深圳市瑞泰威科技有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 磁簧開(kāi)關(guān)
led升壓驅(qū)動(dòng)ic供應(yīng)商-瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC-耳機(jī)驅(qū)動(dòng)ic
價(jià)格
訂貨量(件)
¥1.10
≥100
店鋪主推品 熱銷潛力款
䀋䀒䀍䀍䀑䀔䀍䀋䀋䀒䀓
深圳市瑞泰威科技有限公司
店齡5年 企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
范清月
聯(lián)系電話
䀋䀒䀍䀍䀑䀔䀍䀋䀋䀒䀓
經(jīng)營(yíng)模式
經(jīng)銷批發(fā)
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
一、字符型LCD驅(qū)動(dòng)控制IC
市場(chǎng)上通用的8×1、8×2、16×1、16×2、16×4、20×2、20×4、40×4等字符型LCD,基本上都采用的KS0066作為L(zhǎng)CD的驅(qū)動(dòng)控制器 。
二、圖形點(diǎn)陣型LCD驅(qū)動(dòng)控制IC
1、點(diǎn)陣數(shù)122×32--《SED1520 數(shù)據(jù)手冊(cè)》(英文)
2、點(diǎn)陣數(shù)128×64
(1)ST7920/ST7921,支持串行或并行數(shù)據(jù)操作方式,內(nèi)置中文漢字庫(kù) ;
(2)KS0108,只支持并行數(shù)據(jù)操作方式,這個(gè)也是通用的12864點(diǎn)陣液晶的驅(qū)動(dòng)控制IC ;
(3)ST7565P,支持串行或并行數(shù)據(jù)操作方式 ;
(4)S6B0724,支持串行或并行數(shù)據(jù)操作方式 ;
(5)T6963C,只支持并行數(shù)據(jù)操作方式。
3、其他點(diǎn)陣數(shù)如192×64、240×64、320×64、240×128的一般都是采用T6963c驅(qū)動(dòng)控制芯片。
4、點(diǎn)陣數(shù)320×240,通用的采用RA8835驅(qū)動(dòng)控制IC。
LCD驅(qū)動(dòng)IC的原理是液晶顯示器訊號(hào)掃描方式為e5a48de588b6e799bee5baa6e997aee7ad9431333337623439一次一列,并且逐列而下。Gate Driver IC連結(jié)至晶體管之Gate端,負(fù)責(zé)每一列晶體管的開(kāi)關(guān),掃描時(shí)一次打開(kāi)一整列的晶體管。當(dāng)晶體管打開(kāi)(ON)時(shí),Source Driver IC才能夠逐行將控制亮度、灰階、色彩的控制電壓透過(guò)晶體管Source端、Drain端形成的通道進(jìn)入Panel的畫(huà)素中。因?yàn)镚ate Driver IC負(fù)責(zé)每列晶體管的開(kāi)關(guān),所以又稱為Row Driver或Scan Driver。當(dāng)Gate Driver逐列動(dòng)作時(shí),Source Driver IC負(fù)責(zé)在每一列中將數(shù)據(jù)電壓逐行輸入,因此又稱為Column Driver或Data Driver。
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)(二)
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫(xiě),IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u級(jí)的漏電流流過(guò),基本上不消耗功率。
MOS管驅(qū)動(dòng)廠家——瑞泰威
簡(jiǎn)要介紹了MOS管的驅(qū)動(dòng)。
MOSFET由于具有較低的內(nèi)阻導(dǎo)通量和較高的開(kāi)關(guān)速度而廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源。驅(qū)動(dòng)MOSFET通常是根據(jù)電源IC和MOSFET參數(shù)選擇合適的電路。用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),大多數(shù)人會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻,電壓,電流。
深圳市瑞泰威科技有限公司是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè),專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售,品類齊全,具備上百個(gè)型號(hào)。
與國(guó)內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作,保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。