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MOSFET幾種典型驅(qū)動電路（二）

模擬電路

有一段時間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計工程師的，因?yàn)槟M電路設(shè)計重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)的關(guān)系，沒有BJT的一些致命缺點(diǎn)，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設(shè)計模擬電路的另外一個優(yōu)點(diǎn)也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨(dú)立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內(nèi)。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉(zhuǎn)換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術(shù)設(shè)計出效能更好的產(chǎn)品。

運(yùn)行內(nèi)存有別于閃存芯片，盡管他們?nèi)荂PU解決所需數(shù)據(jù)信息的媒介，可是內(nèi)存的作用是出示了一個解決當(dāng)今所必須數(shù)據(jù)信息的室內(nèi)空間，它的室內(nèi)空間容積較閃存芯片小，但獲取數(shù)據(jù)的速率更快，如同VIP安全通道一樣，它為當(dāng)今需解決的數(shù)據(jù)信息出示了迅速的安全通道，促使CPU可以迅速獲得到這種數(shù)據(jù)信息并實(shí)行。

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?晶片購買價格

對芯片的采購，分為前期和后期兩個階段。

晶片采購前期，就是晶片的選擇，品牌的選擇，數(shù)量的確定，在項(xiàng)目電路方案評審之前，是工程師的主要工作內(nèi)容，工程師對項(xiàng)目的方案BOM表進(jìn)行審核，并以此初步估算項(xiàng)目的成本。

晚些時候，是芯片的批量采購，是根據(jù)工程師提供的BOM表，和芯片供應(yīng)商商談后的批量采購價格。

晶片的終批量采購價格，一般是在前期工程師晶片采購價格估算的基礎(chǔ)上，多次與廠商進(jìn)行降價的結(jié)果。它還可以解釋工程師們關(guān)注芯片采購的必要性。