IG的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流，使IG導(dǎo)通。
反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IG關(guān)斷。IG的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。
當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IG在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。
IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫(xiě)，IG是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管。
它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

IG模塊1FS300RE3/AGDR-76CS，現(xiàn)貨熱賣(mài)ABBIG模塊

若在IG的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IG的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IG與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。
IG是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。
從功能上來(lái)說(shuō)，IG就是一個(gè)電路開(kāi)關(guān)，優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級(jí)、電流幾十到幾百安量級(jí)的強(qiáng)電上的。而且IG不用機(jī)械按鈕，它是由計(jì)算機(jī)控制的

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有了IG這種開(kāi)關(guān)，就可以設(shè)計(jì)出一類(lèi)電路，通過(guò)計(jì)算機(jī)控制IG，把電源側(cè)的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負(fù)載使用。這類(lèi)電路統(tǒng)稱(chēng)變換器。
IG模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IG也指IG模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類(lèi)產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)；
IG是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”，作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航tian、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。