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IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

現(xiàn)階段IPTV小盒子上應(yīng)用的流行儲(chǔ)存計(jì)劃方案是DDR3，不但頻率獲得提升，傳輸速度已獲得提高；而且功能損耗顯著降低，降低排熱造成的卡屏難題。而且在本地播放時(shí)，無論是當(dāng)?shù)刈帜贿€是三d播放視頻都是有非常好的適用。

瑞泰威發(fā)布的DDR3具備內(nèi)糾錯(cuò)碼(ECC)作用，提升了數(shù)據(jù)信息可信性并降低了系統(tǒng)軟件改錯(cuò)壓力；具有64M×16/128M×16/255M×16/512M×16等多種多樣容積，封裝規(guī)格為BGA96Ball8mm×14mm，操作溫度0°C~85°C，工作標(biāo)準(zhǔn)電壓1.35V/1.9V，輸出功率有1600Mhz/1865Mhz/2665Mbps等。

?什么是LED芯片？

發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器是指驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管發(fā)光二極管或發(fā)光二極管組件正常工作的電子器件。

因?yàn)長(zhǎng)EDPN結(jié)的導(dǎo)通特性決定了其適合的電源電壓和電流變化范圍很小，稍有偏差就可能不能點(diǎn)亮LED，發(fā)光效率嚴(yán)重下降，或縮短使用壽命甚至燒毀芯片。發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)器就是這樣一個(gè)電子組件，能驅(qū)動(dòng)LED在電壓或電流狀態(tài)下工作。

由于LED是敏感特性的半導(dǎo)體器件，又具有負(fù)溫特性，所以LED驅(qū)動(dòng)電源(也稱為驅(qū)動(dòng)器)是在應(yīng)用過程中保護(hù)它穩(wěn)定工作狀態(tài)的。