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LED電源驅動IC燒掉是什么原因引起的

LED電源驅動IC燒掉的原因有電器元件IC本身有問題，也可能是電流電壓過高。

LED需要的電流和電壓的穩(wěn)定組件，在工作時，應當具有高的分壓電壓和低功耗的，否則，的LED會降低整個系統的效率，因為工作消耗高，矛盾的原則，節(jié)能和。因此，主電流限制電路，應使用的電路，如電容，電感或與電源開關電路，因為它有可能代替電阻或串聯穩(wěn)壓電路的LED系統，以確保。系列恒功率輸出電路，可以在廣泛的電源LED的光輸出保持不變，但會失去一些正常的IC電路效率。通過與電源開關電路是能保證恒定的功率輸出下具有高的轉印效率的電源供應器的戲劇性的電壓變化。

IGBT的驅動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

輸出特性與轉移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

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