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igbt驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

?存儲(chǔ)芯片特色化水平低

存儲(chǔ)芯片商品有別于絕大多數(shù)的消費(fèi)性商品，只是具備典型性的大宗商品現(xiàn)貨特性，差異化營(yíng)銷較小，不一樣公司生產(chǎn)制造的商品性能指標(biāo)基本一致，規(guī)范化程度高，因而特色化水平較差，客戶忠誠度低。

大家以智能機(jī)為例子，客戶在購買智能機(jī)時(shí)基礎(chǔ)都是考慮到CPU的品牌和型號(hào)規(guī)格是高通芯片的還是聯(lián)發(fā)科的，但非常少有些人會(huì)考慮到顯示屏是LG的還是BOE的，而僅僅會(huì)考慮到顯示屏的尺寸和屏幕分辨率等主要參數(shù)。

這一點(diǎn)存儲(chǔ)芯片和控制面板是相近的，客戶一般總是考慮到存儲(chǔ)芯片的容積，是64G還是128G，而非常少會(huì)有些人考慮到存儲(chǔ)芯片是海力士產(chǎn)的還是飛利浦產(chǎn)的。因而，針對(duì)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，要是性能參數(shù)上做到規(guī)定，不一樣品牌的商品可替代率很高，這也為后入式者出示了彎道超越的很有可能?？刂泼姘孱I(lǐng)域中BOE的取得成功也證實(shí)了這一點(diǎn)。

驅(qū)動(dòng)Ic漲價(jià)需多留意

當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)外部環(huán)境因素較不確定，漲價(jià)情況頻發(fā)，但仍需理性區(qū)分“缺貨”與“炒貨”情況，如IPC芯片安防價(jià)格如今如此之高，這與商家利用市場(chǎng)焦a慮、囤貨炒a作分不開，正如1家缺貨10家問，10k貨的需求，在市場(chǎng)上被誤解為100K貨的需求，這種場(chǎng)景類似于年初的紅外線感應(yīng)缺貨事件。

提價(jià)是由多種因素引起的市場(chǎng)反應(yīng)，經(jīng)多次對(duì)比確認(rèn)后根據(jù)自身情況衡量后，再?zèng)Q定是否需要囤貨等行為，很大限度地減少企業(yè)損失。硅片代工漲價(jià)，仍需進(jìn)一步確認(rèn)中芯是否受貿(mào)易摩擦影響，未來“蝴蝶a效應(yīng)”將十分明顯。