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IGBT的驅(qū)動電路特點（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據(jù)了主導地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

驅(qū)動芯片的額定輸出電流的額定值為1.2~1.5A。在LED光源用于照明時，1W功率LED光源的工作電流標稱為350mA,3W功率LED光源的工作電流標稱為700mA。大功率LED光源對電流的要求較高，所以選擇LED照明燈具的驅(qū)動IC必須具有足夠的電流輸出，設(shè)計產(chǎn)品時還必須使驅(qū)動IC工作在70~90%的好的工況下工作。在狹小空間內(nèi)，采用全負荷輸出電流驅(qū)動IC散熱不良，易造成燈具疲勞和早期失效。

1、驅(qū)動芯片的封裝應該有利于驅(qū)動芯片管芯的快速散熱，例如直接將裸片固定在銅片上，并且有一針直接延伸到封裝外部，以便于直接在PCB板的銅箔上直接導熱。當電流達到300~1,000mA時，類似于4X4mm的芯片一定會產(chǎn)生功率損耗和發(fā)熱，因此，芯片本身的物理散熱結(jié)構(gòu)也很重要。

2、驅(qū)動芯片抗EMI、噪音和高壓的性能也與整個LED燈具產(chǎn)品能否順利通過CE、UL等認證有關(guān)，因此在驅(qū)動芯片設(shè)計中要選擇先進的拓樸結(jié)構(gòu)和高壓生產(chǎn)工藝。

3、驅(qū)動芯片本身的功耗要求小于0.5W，開關(guān)工作頻率要求大于120Hz，以免工頻干擾引起可見閃爍。

總之，無論是筒燈還是照明燈具都離不開驅(qū)動芯片。