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SVC可以被看成是一個動態(tài)的無功源。根據(jù)接入電網(wǎng)的需求，它可以向電網(wǎng)提供容性無功，也可以吸收電網(wǎng)多余的感性無功，把電容器組通常是以濾波器組接入電網(wǎng)，就可以向電網(wǎng)提供無功，當電網(wǎng)并不需要太多的無功時，這些多余的容性無功，就由一個并聯(lián)的電抗器來吸收。電抗器電流是由一個可控硅閥組控制，借助于對可控硅觸發(fā)相角的調整，就可以改變流過電抗器的電流有效值，從而保證SVC在電網(wǎng)接入點的無功量正好能將該點電壓穩(wěn)定在規(guī)定范圍內，起到電網(wǎng)無功補償?shù)淖饔谩?

損耗

可控電抗器在額定負載時，鐵芯工作在磁飽和區(qū)域，在這種結構下，磁飽和時的邊緣效應顯著，由于磁閥交替飽和，在磁閥附近鐵芯區(qū)域存在較大的橫向磁場分量，因此增了電抗器鐵芯和繞組的附加損耗，通常約為2%--4%。

目前，MCR經(jīng)過不斷的技術革新，損耗也有所下降，但是始終不會低于鐵芯式電抗器的額定損耗。鐵心式電抗器的國家標準，按照其容量不同，額定損耗一般為1.2~2%之間。因此，實際運行中，小于5萬MVar的MCR式動態(tài)補償?shù)膿p耗不會小于1.8%

SVG可在極短的時間之內完成從額定容性無功功率到額定感性無功功率的相互轉換，這種的響應速度完全可以勝任對沖擊性負荷的補償。

抑制電壓閃變能力更強

SVC對電壓閃變的抑制可達2：1，SVG對電壓閃變的抑制可以達到5：1，甚至更高。SVC受到響應速度的限制，其抑制電壓閃變的能力不會隨補償容量的增加而增加。而SVG由于響應速度極快，增大裝置容量可以繼續(xù)提高抑制電壓閃變的能力。