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IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

疫情下電子屏驅(qū)動(dòng)Ic影響

現(xiàn)在晶片一代廠產(chǎn)量正常，未受傳然病嚴(yán)重影響。但需要注意兩點(diǎn)。首先，從去年第四季度開始，集成電路產(chǎn)業(yè)整體需求非常旺盛，晶片廠已經(jīng)全部投產(chǎn)，如果沒有在這個(gè)行業(yè)中有影響力的IC設(shè)計(jì)公司，就很難獲得更大的產(chǎn)能。二是韓日進(jìn)入擴(kuò)散期，韓國(guó)家和日在集成電路供應(yīng)鏈中扮演著重要角色，其影響不容忽視。

雖然受疾病影響，2月份許多LED電子顯示屏廠并未恢復(fù)正常生產(chǎn)，但出口LED電子顯示屏廠出貨強(qiáng)勁，需求持續(xù)快速增長(zhǎng)。三月份LED顯示屏廠基本全部開工，從收到的訂單量來看，需求并未減少，反而超過了去年四季度月度發(fā)貨量。二季度，國(guó)內(nèi)需求市場(chǎng)可能會(huì)放緩，但受抑制的需求會(huì)隨著傳然病的逐步控制而反彈。

1、驅(qū)動(dòng)芯片的封裝應(yīng)該有利于驅(qū)動(dòng)芯片管芯的快速散熱，例如直接將裸片固定在銅片上，并且有一針直接延伸到封裝外部，以便于直接在PCB板的銅箔上直接導(dǎo)熱。當(dāng)電流達(dá)到300~1,000mA時(shí)，類似于4X4mm的芯片一定會(huì)產(chǎn)生功率損耗和發(fā)熱，因此，芯片本身的物理散熱結(jié)構(gòu)也很重要。

2、驅(qū)動(dòng)芯片抗EMI、噪音和高壓的性能也與整個(gè)LED燈具產(chǎn)品能否順利通過CE、UL等認(rèn)證有關(guān)，因此在驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)中要選擇先進(jìn)的拓樸結(jié)構(gòu)和高壓生產(chǎn)工藝。

3、驅(qū)動(dòng)芯片本身的功耗要求小于0.5W，開關(guān)工作頻率要求大于120Hz，以免工頻干擾引起可見閃爍。

總之，無論是筒燈還是照明燈具都離不開驅(qū)動(dòng)芯片。