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對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路有什么要求

IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求：

(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開(kāi)通損耗均下降,但若UGE過(guò)大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過(guò)大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮。快速開(kāi)通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開(kāi)關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開(kāi)頻率不宜過(guò)大,因?yàn)楦咚匍_(kāi)斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開(kāi)通后,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗;RG較小,會(huì)引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、 驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開(kāi)關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開(kāi)路。

存儲(chǔ)芯片內(nèi)地發(fā)展的影響

價(jià)錢：減價(jià)或成大勢(shì)所趨

獲益于中下游智能機(jī)、AI、大數(shù)據(jù)中心、轎車、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等多極運(yùn)用的驅(qū)動(dòng)器，存儲(chǔ)芯片銷售市場(chǎng)有希望持續(xù)保持高提高。美光預(yù)估17年至二零二一年，DRAM要求復(fù)合型增長(zhǎng)率將達(dá)20%，NAND位要求復(fù)合型增長(zhǎng)率將達(dá)40-45%。

存儲(chǔ)芯片的價(jià)格上漲由需求量很高剛開(kāi)始，是不是不斷還得看供求。要求是遲緩提高，而提供會(huì)忽然提升，伴隨著國(guó)際性大型廠生產(chǎn)能力釋放出來(lái)及其內(nèi)地儲(chǔ)存新項(xiàng)目有序推進(jìn)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格波動(dòng)或成大勢(shì)所趨。

安全防護(hù)IPC芯片缺貨主要受中美制裁影響，價(jià)格一路飆升。根據(jù)了解到的市場(chǎng)信息，安全芯片150元左右可以賣到600元上下，500元左右可以炒到3000元以上。在這些產(chǎn)品中，缺少的比較多的是中高d端視頻編解a碼芯片，而低端產(chǎn)品則很少缺少。

據(jù)悉，近日杭州采購(gòu)安防芯片的廠商在高d端安防芯片產(chǎn)品的選擇上，已經(jīng)有60-70%的中小企業(yè)轉(zhuǎn)向安防芯片、TI、MSTAR或聯(lián)詠。

低端安全防護(hù)產(chǎn)品市場(chǎng)有大量的候補(bǔ)者，如君正、國(guó)科微、富瀚微、中星微、瑞芯微等，市場(chǎng)空缺補(bǔ)齊也是迫在眉睫。