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MOSFET幾種典型驅動電路（二）

模擬電路

有一段時間，MOSFET并非模擬電路設計工程師的，因為模擬電路設計重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉導（transconductance）或是電流的驅動力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。但是隨著MOSFET技術的不斷演進，今日的CMOS技術也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。再加上MOSFET因為結構的關系，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，MOSFET在線性區(qū)的壓控電阻特性亦可在集成電路里用來取代。

隨著半導體制造技術的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設計模擬電路的另外一個優(yōu)點也隨之浮現(xiàn)。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數(shù)量、減少封裝成本與縮小系統(tǒng)的體積，很多原本獨立的類比芯片與數(shù)位芯片被整合至同一個芯片內。MOSFET原本在數(shù)位集成電路上就有很大的競爭優(yōu)勢，在類比集成電路上也大量采用MOSFET之后，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合信號電路（Mixed-signal circuits），如類比/數(shù)位轉換器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技術設計出效能更好的產(chǎn)品。

在無人駕駛行業(yè)，瑞泰威電子元器件經(jīng)銷商掌握到，以便考慮無人駕駛轎車的要求，每臺轎車少必須配置1TB尺寸的存儲芯片，才可以解決很多數(shù)據(jù)信息。一旦全部領域進到無人駕駛時期，半導體材料銷售市場會比汽車企業(yè)市場競爭更為猛烈，預估該行業(yè)將來也將出現(xiàn)大幅度提高。

轎車智能化系統(tǒng)發(fā)展趨勢下，所必須的主集成ic規(guī)定處理速度愈來愈高，數(shù)學計算愈來愈強，在作用持續(xù)拓展的狀況下，針對硬件軟件的可信性及其作用安全級別的規(guī)定也愈來愈高。現(xiàn)階段，轎車儲存器設計方案遭遇四個層面的重要挑戰(zhàn)：儲存工作能力、功耗、可信性、和安全系數(shù)。

1、驅動芯片的封裝應該有利于驅動芯片管芯的快速散熱，例如直接將裸片固定在銅片上，并且有一針直接延伸到封裝外部，以便于直接在PCB板的銅箔上直接導熱。當電流達到300~1,000mA時，類似于4X4mm的芯片一定會產(chǎn)生功率損耗和發(fā)熱，因此，芯片本身的物理散熱結構也很重要。

2、驅動芯片抗EMI、噪音和高壓的性能也與整個LED燈具產(chǎn)品能否順利通過CE、UL等認證有關，因此在驅動芯片設計中要選擇先進的拓樸結構和高壓生產(chǎn)工藝。

3、驅動芯片本身的功耗要求小于0.5W，開關工作頻率要求大于120Hz，以免工頻干擾引起可見閃爍。

總之，無論是筒燈還是照明燈具都離不開驅動芯片。