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igbt驅(qū)動電路的簡介

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

?電子元件新的商業(yè)模式

1、一切皆服務(wù)項(xiàng)目：新商業(yè)模式和網(wǎng)絡(luò)經(jīng)濟(jì)。從IT行業(yè)剛開始，用按應(yīng)用付錢的系統(tǒng)軟件（也稱之為“一切皆服務(wù)項(xiàng)目”或XaaS）替代使用權(quán)的發(fā)展趨勢操作超時(shí)現(xiàn)實(shí)世界。

2、迅速和更短的自主創(chuàng)新周期時(shí)間。遭遇的挑戰(zhàn)是怎樣解決持續(xù)減少的上市時(shí)間，及其增加的“在市時(shí)間”等不好要求，這立即危害了對技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的界定?？墒沁@種挑戰(zhàn)是能夠處理的，比如，出示可升級的ECS，便于在現(xiàn)場開展中后期調(diào)節(jié)。

?MOS管驅(qū)動要求

良好的MOSFET驅(qū)動電路需要滿足以下要求：

1、開關(guān)管開啟瞬時(shí)，驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流，使MOSFET柵源極之間的電壓迅速上升到所需的值，以保證開關(guān)管能迅速開啟，且無高頻振蕩沿上升方向。

2、開關(guān)導(dǎo)通期間的驅(qū)動電路能夠保證MOSFET柵源間電壓的穩(wěn)定和可靠導(dǎo)通。

3、關(guān)斷瞬時(shí)驅(qū)動電路為MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放提供了盡可能低的阻抗，保證了開關(guān)管的快速關(guān)斷。

4、驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，損耗小。

5、視情況實(shí)行隔離。