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為什么在led驅(qū)動(dòng)電源中要盡量使用mosfet器件

LED驅(qū)動(dòng)電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應(yīng)從產(chǎn)品性價(jià)比、系統(tǒng)來散熱（包括電源本身和燈具）幾方面考慮，并不一定要求LED電源要用MOS管：

1、從散源熱角度考慮：LED驅(qū)動(dòng)電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體，根據(jù)多年設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，我們賽明源電源在設(shè)計(jì)30W以上電源時(shí)全部使用MOS管與控制IC分離方案。因?yàn)榘?，就現(xiàn)有技術(shù)（截止2015年）內(nèi)置MOS管方案超過30W以上電源散熱就是問題，系統(tǒng)很難保證其穩(wěn)定性；

2、從度性價(jià)比上考慮：在設(shè)計(jì)30W以下LED電源時(shí)，賽明知源電源有些采用內(nèi)置MOS管方案道，因?yàn)檫@種方案已經(jīng)成熟，散熱不是問題，系統(tǒng)穩(wěn)定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS，再說內(nèi)置MOS方案EMC指標(biāo)很容易通過。

對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路有什么要求

IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求：

(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開頻率不宜過大,因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開通后,驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗;RG較小,會(huì)引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、 驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。

無線充電芯片組成

從結(jié)構(gòu)上看，無線充電發(fā)射端芯片主要由驅(qū)動(dòng)芯片、MOS芯片和主芯片三部分組成。單片機(jī)方案下，控制芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、運(yùn)放全部獨(dú)立，外圍元件也相當(dāng)多，總而言之，非常復(fù)雜，元器件太多。原材料品種繁多，生產(chǎn)試驗(yàn)流程復(fù)雜，不利于產(chǎn)品的快速開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

即Systemonachip，它是指在一塊芯片上集成一個(gè)完整系統(tǒng)。當(dāng)前對(duì)SoC方案的一些比較常見的定義是：SoC即主控制和驅(qū)動(dòng)集成。但是也有聲音表示這種說法并不準(zhǔn)確，主控、驅(qū)動(dòng)、MOS完整集合才是真正的SoC。以下是SoC的定義，暫且先以種表述為準(zhǔn)。