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線性LED驅(qū)動IC跟非線性LED驅(qū)動IC的區(qū)別

壓降比較大或知者驅(qū)動電流大的時候，線性的功耗大，效率低，開關(guān)的功耗小，。不過如果壓降不大或者電流小，線性驅(qū)動的電流穩(wěn)定，道并且用的原件要遠遠少于開關(guān)的。

驅(qū)動方法

利用電流值的調(diào)節(jié)方法

利用脈沖幅變調(diào)技術(shù)的調(diào)節(jié)方法

電流值的調(diào)節(jié)方法主要版是改變電流值調(diào)節(jié)的亮度，此處假設(shè) 時的光度為1倍，白光的光度與電流變化時的光度變成1.7倍， 時的光度變成3倍，雖然照度與電流值并權(quán)不是比例關(guān)系，不過紅光卻呈比例關(guān)系，主要原因是紅、綠、藍的晶片物性彼此相異所致。

對IGBT驅(qū)動電路有什么要求

IGBT對驅(qū)動電路的要求：

(1)提供適當?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。當正偏壓增大時IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負載短路時其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負偏電壓可防止由于關(guān)斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通,一般選UGE=-5V為宜。

(2)IGBT的開關(guān)時間應綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗。但在大電感負載下,IGBT的開頻率不宜過大,因為高速開斷和關(guān)斷會產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

(3)IGBT開通后,驅(qū)動電路應提供足夠的電壓、電流幅值,使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。

(4)IGBT驅(qū)動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損耗;RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。

(5)驅(qū)動電路應具有較強的抗干擾能力及對IG2BT的保護功能。IGBT的控制、 驅(qū)動及保護電路等應與其高速開關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。

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伴隨著WiFi6的落地式普及化，高速運行產(chǎn)生的高變換與高容，對無線路由器等機器設(shè)備的運存將會出現(xiàn)高些的規(guī)定。

DDR做為運用普遍的動態(tài)性隨機存儲器儲存器，被運用于光纖貓機器設(shè)備中，DDR實質(zhì)上不用提升時鐘頻率就能翻倍提升SDRAM的速率，它容許在脈沖發(fā)生器的上升沿和降低沿讀出數(shù)據(jù)，因此其速率是規(guī)范SDRAM的二倍。